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AT49BV002T-90VI

2-Megabit 256K x 8 Single 2.7-Volt Battery-Voltage Flash Memory

器件类别：存储存储

厂商名称：Atmel (Microchip)

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Atmel (Microchip)

零件包装代码

SOIC

包装说明

8 X 14 MM, VSOP-32

针数

32

Reach Compliance Code

compli

ECCN代码

EAR99

最长访问时间

90 ns

启动块

TOP

命令用户界面

YES

数据轮询

YES

JESD-30 代码

R-PDSO-G32

JESD-609代码

e0

长度

12.4 mm

内存密度

2097152 bi

内存集成电路类型

FLASH

内存宽度

8

功能数量

1

部门数/规模

1,2,1,1

端子数量

32

字数

262144 words

字数代码

256000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

256KX8

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TSOP1

封装等效代码

TSSOP32,.56,20

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

电源

3/3.3 V

编程电压

2.7 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.2 mm

部门规模

16K,8K,96K,128K

最大待机电流

0.00005 A

最大压摆率

0.05 mA

最大供电电压 (Vsup)

3.6 V

最小供电电压 (Vsup)

2.7 V

标称供电电压 (Vsup)

3 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

GULL WING

端子节距

0.5 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

切换位

YES

类型

NOR TYPE

宽度

8 mm

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