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Am29LV160BT120FEB

2M X 8 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48

器件类别：存储    存储   

厂商名称：AMD(超微)

厂商官网：http://www.amd.com

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参数
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
AMD(超微)
零件包装代码
TSOP
包装说明
REVERSE, TSOP-48
针数
48
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
120 ns
备用内存宽度
16
启动块
TOP
命令用户界面
YES
通用闪存接口
YES
数据轮询
YES
JESD-30 代码
R-PDSO-G48
JESD-609代码
e0
长度
18.4 mm
内存密度
16777216 bi
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
功能数量
1
部门数/规模
1,2,1,31
端子数量
48
字数
2097152 words
字数代码
2000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
2MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP1-R
封装等效代码
TSSOP48,.8,20
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行
PARALLEL
电源
3/3.3 V
编程电压
3 V
认证状态
Not Qualified
就绪/忙碌
YES
反向引出线
YES
座面最大高度
1.2 mm
部门规模
16K,8K,32K,64K
最大待机电流
0.000005 A
最大压摆率
0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.5 mm
端子位置
DUAL
切换位
YES
类型
NOR TYPE
宽度
12 mm
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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