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BAT14-110R

Mixer Diode, Medium Barrier, KA Band, 500ohm Z(V) Max, Silicon

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:SIEMENS

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
S-LQMW-F4
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最小击穿电压
4 V
配置
RING, 4 ELEMENTS
最大二极管电容
0.12 pF
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
MIXER DIODE
频带
KA BAND
最大阻抗
500 Ω
最小阻抗
350 Ω
JESD-30 代码
S-LQMW-F4
元件数量
4
端子数量
4
最大工作频率
40 GHz
最小工作频率
最高工作温度
150 °C
最大输出电流
50 A
封装主体材料
GLASS
封装形状
SQUARE
封装形式
MICROWAVE
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
最小正切信号灵敏度
48 dBm
技术
SCHOTTKY
端子形式
FLAT
端子位置
QUAD
肖特基势垒类型
MEDIUM BARRIER
Base Number Matches
1
文档预览
Silicon Schottky Diodes
q
q
q
q
BAT 14- … R
Beam lead technology
Low dimension
High performance
Medium barrier
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precautions!
Type
BAT 14-020 R
BAT 14-050 R
BAT 14-090 R
BAT 14-110 R
Marking
Ordering Code
Q62702-D1260
Q62702-D1269
Q62702-D1277
Q62702-D1286
Pin Configuration
Package
1)
R
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Values
BAT 14-020 R
BAT 14-050 R
Forward current
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
I
F
T
j
T
stg
T
op
100
175
– 65 … + 150
– 65 … + 150
BAT 14-090 R
BAT 14-110 R
50
mA
˚C
Unit
1)
For detailed information see chapter Package Outlines.
Semiconductor Group
1
BAT 14- ...R
BAT 14- … R
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25 ˚C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
min.
DC Characteristics
Diode capacitance
V
R
= 0,
f
= 1 MHz
C
T
BAT 14-020 R
BAT 14-050 R
BAT 14-090 R
BAT 14-110 R
V
F
BAT 14-020 R
BAT 14-050 R
BAT 14-090 R
BAT 14-110 R
BAT 14-020 R
BAT 14-050 R
BAT 14-090 R
BAT 14-110 R
F
SSB
r
f
BAT 14-020 R
BAT 14-050 R
BAT 14-090 R
BAT 14-110 R
3.5
4.0
7.0
10.0
6.0
6.5
6.5
7.0
0.45
0.47
0.49
0.50
0.55
0.57
0.60
0.65
dB
0.30
0.20
0.14
0.10
0.35
0.25
0.15
0.12
V
pF
Values
typ.
max.
Unit
Forward voltage
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
Single sideband noise figure
F
IF
= 1.5 dB,
P
LO
= 0 dBm,
f
IF
= 10.7 MHz
f
= 3.0 GHz
BAT 14-020 R
f
= 6.0 GHz
BAT 14-050 R
f
= 9.3 GHz
BAT 14-090 R
f
= 16 GHz
BAT 14-110 R
Differential forward resistance
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
Semiconductor Group
2
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参数对比
与BAT14-110R相近的元器件有:BAT14-050R。描述及对比如下:
型号 BAT14-110R BAT14-050R
描述 Mixer Diode, Medium Barrier, KA Band, 500ohm Z(V) Max, Silicon Mixer Diode, Medium Barrier, C Band, 500ohm Z(V) Max, Silicon
包装说明 S-LQMW-F4 S-LQMW-F4
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最小击穿电压 4 V 4 V
配置 RING, 4 ELEMENTS RING, 4 ELEMENTS
最大二极管电容 0.12 pF 0.25 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 MIXER DIODE MIXER DIODE
频带 KA BAND C BAND
最大阻抗 500 Ω 500 Ω
最小阻抗 350 Ω 350 Ω
JESD-30 代码 S-LQMW-F4 S-LQMW-F4
元件数量 4 4
端子数量 4 4
最大工作频率 40 GHz 8 GHz
最高工作温度 150 °C 150 °C
最大输出电流 50 A 100 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 MICROWAVE MICROWAVE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
最小正切信号灵敏度 48 dBm 48 dBm
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 QUAD QUAD
肖特基势垒类型 MEDIUM BARRIER MEDIUM BARRIER
热门器件
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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