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BAV21WS-7-F

反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA 200V,200mA,trr=50ns,VF=1.25V@200mA,PD=200mW

器件类别：分立半导体开关二极管

厂商名称：Diodes

厂商官网：http://www.diodes.com/

参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

反向恢复时间（trr）

50ns

直流反向耐压（Vr）

200V

平均整流电流（Io）

200mA

正向压降（Vf）

1.25V @ 200mA

参数对比

与BAV21WS-7-F相近的元器件有：BAV19WS-13-F、BAV20WS-7-F、BAV19WS-7-F、BAV21WSQ-7-F、BAV21WS-13-F。描述及对比如下：

型号	BAV21WS-7-F	BAV19WS-13-F	BAV20WS-7-F	BAV19WS-7-F	BAV21WSQ-7-F	BAV21WS-13-F
描述	反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA 200V,200mA,trr=50ns,VF=1.25V@200mA,PD=200mW	反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA	反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：150V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA 150V,200mA,trr=50ns,VF=1.25V@200mA,PD=200mW	反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA -		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon,
反向恢复时间（trr）	50ns	50ns	50ns	50ns	-	-
直流反向耐压（Vr）	200V	100V	150V	100V	-	-
平均整流电流（Io）	200mA	200mA	200mA	200mA	-	-
正向压降（Vf）	1.25V @ 200mA	1.25V @ 200mA	1.25V @ 200mA	1.25V @ 200mA	-	-

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器件捷径:

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