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BFU530WX

RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件:BFU530WX

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器件参数
参数名称
属性值
Product Attribute
Attribute Value
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦)
产品种类
Product Category
RF Bipolar Transistors
RoHS
Details
Transistor Type
Bipolar Wideband
技术
Technology
Si
Transistor Polarity
NPN
DC Collector/Base Gain hfe Min
60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
16 V
Emitter- Base Voltage VEBO
2 V
Continuous Collector Current
10 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT323-3
Collector- Base Voltage VCBO
24 V
DC Current Gain hFE Max
200
Operating Frequency
2 GHz
工作温度范围
Operating Temperature Range
- 40 C to + 150 C
Output Power
10 dBm
类型
Type
Wideband RF Transistor
Gain Bandwidth Product fT
11 GHz
Maximum DC Collector Current
65 mA
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
450 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000196 oz
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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