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BLF881112

RF MOSFET Transistors UHF power LDMOS transistor

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件:BLF881112

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器件参数
参数名称
属性值
产品种类
Product Category
RF MOSFET Transistors
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦)
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Id - Continuous Drain Current
500 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
104 V
Rds On - Drain-Source Resistance
210 mOhms
技术
Technology
Si
Gain
21 dB at 858 MHz
Output Power
33 W
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-467C-3
系列
Packaging
Tube
Configuration
Single
Operating Frequency
1 GHz
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
60
类型
Type
RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage
13 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.4 V
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