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BLL6H1214-500112

RF MOSFET Transistors TRANS L-BAND RADAR LDMOS

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件:BLL6H1214-500112

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器件参数
参数名称
属性值
产品种类
Product Category
RF MOSFET Transistors
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦)
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Id - Continuous Drain Current
150 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Rds On - Drain-Source Resistance
164 mOhms
技术
Technology
Si
Gain
17 dB
Output Power
500 W
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-539A-5
系列
Packaging
Tube
Configuration
Dual
Operating Frequency
1.2 GHz to 1.4 GHz
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
20
类型
Type
RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage
13 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.8 V
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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