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BPW-34-FA

Bluetooth / 802.15.1 Modules BLE USB Dongle 4.0 single mode

器件类别:光电子/LED   

厂商名称:Osram Opto Semiconductor

厂商官网:https://www.osram.com/index-2.jsp

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BPW-34-FA 在线购买

供应商:

器件:BPW-34-FA

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器件参数
参数名称
属性值
产品种类
Product Category
Photodiodes
制造商
Manufacturer
Osram Opto Semiconductor
RoHS
Details
产品
Product
PIN Photodiodes
封装 / 箱体
Package / Case
DIL-2
安装风格
Mounting Style
Through Hole
Peak Wavelength
880 nm
Dark Current
2 nA
Vr - Reverse Voltage
16 V
Rise Time
20 ns
Fall Time
20 ns
Half Intensity Angle Degrees
60 deg
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
高度
Height
2.2 mm
If - Forward Current
100 mA
长度
Length
4.5 mm
Noise Equivalent Power - NEP
3.9E-14 W/sqrt Hz
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
150 mW
Photocurrent
50 uA
Responsivity
0.65 A/W
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
类型
Type
Silicon PIN Photodiode
Vf - Forward Voltage
1.3 V
宽度
Width
4 mm
文档预览
2014-01-10
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Version 1.1
BPW 34 FA
• Especially suitable for the wavelength range of
730 nm to 1100 nm
• Short switching time (typ. 20 ns)
• DIL plastic package with high packing density
Features:
• Speziell geeignet für den Wellenlängenbereich von
730 nm bis 1100 nm
• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
• DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
Besondere Merkmale:
• Photointerrupters
• IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape
recorders, dimmers, remote controls of various
equipment
• Automotive (eg rain sensor, headset)
Applications
• Lichtschranken
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern,
Gerätefernsteuerungen
• Automotomobil (z.B. Regensensor, Headset)
Anwendungen
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
λ
= 870 nm, E
e
= 1 mW/cm
2
, V
R
= 5 V
I
P
[µA]
BPW 34 FA
50 (≥ 40)
Q62702P1129
Ordering Code
Bestellnummer
2014-01-10
1
Version 1.1
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Reverse voltage
Sperrspannung
(t < 2 min)
Total power dissipation
Verlustleistung
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Photocurrent
Fotostrom
(V
R
= 5 V,
λ
= 870 nm, E
e
=1 mW/cm
2
)
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Half angle
Halbwinkel
Dark current
Dunkelstrom
(V
R
= 10 V)
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 870 nm)
Symbol
Symbol
I
P
Values
Werte
50 (≥ 40)
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
V
R
Values
Werte
-40 ... 100
16
32
BPW 34 FA
Unit
Einheit
°C
V
V
P
tot
150
mW
Unit
Einheit
µA
λ
S max
λ
10%
A
LxW
880
730 ... 1100
7.02
2.65 x 2.65
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
nA
ϕ
I
R
± 60
2 (≤ 30)
S
λ
typ
0.65
A/W
2014-01-10
2
Version 1.1
Parameter
Bezeichnung
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 870 nm)
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 870 nm)
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 870 nm)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(V
R
= 5 V, R
L
= 50
Ω, λ
= 850 nm, I
P
= 800 µA)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA,
E
= 0)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Temperature coefficient of V
O
Temperaturkoeffizient von V
O
Temperature coefficient of I
SC
Temperaturkoeffizient von I
SC
(λ = 870 nm)
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(V
R
= 10 V,
λ
= 870 nm)
Detection limit
Nachweisgrenze
(V
R
= 10 V,
λ
= 870 nm)
Symbol
Symbol
η
Values
Werte
0.93
BPW 34 FA
Unit
Einheit
Electro
ns
/Photon
mV
V
O
320 (≥ 250)
I
SC
23
µA
t
r
, t
f
0.02
µs
V
F
1.3
V
C
0
72
pF
TC
V
TC
I
-2.6
0.03
mV / K
%/K
NEP
0.039
pW /
Hz
½
cm x
Hz
½
/ W
D
*
6.8e12
2014-01-10
3
Version 1.1
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
S
rel
= f(λ)
100
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400
600
800
1000 nm 1200
λ
10
-1
10
0
10
0
10
1
10
2
V
O
OHF01430
BPW 34 FA
Photocurrent / Open-Circuit Voltage
Fotostrom / Leerlaufspannung
I
P
(V
R
= 5 V) / V
O
= f(E
e
)
10
3
μ
A
OHF01428
Ι
P
10
4
mV
V
O
10
3
10
2
Ι
P
10
1
10
0
10
1
10
2
μ
W/cm
2
E
e
10
4
Total Power Dissipation
Verlustleistung
P
tot
= f(T
A
)
160
mW
P
tot
140
120
100
80
60
40
20
0
OHF00958
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(V
R
), E = 0
4000
OHF00080
Ι
R
pA
3000
2000
1000
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
0
0
5
10
15
V
V
R
20
2014-01-10
4
Version 1.1
Capacitance
Kapazität
C = f(V
R
), f = 1 MHz, E = 0
100
C
pF
80
10
2
OHF00081
BPW 34 FA
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(T
A
), V
R
= 10 V, E = 0
10
3
OHF00082
Ι
R
nA
70
60
50
40
30
20
10
0
-2
10
10
-1
10
1
10
0
10
0
10
1
V 10
V
R
2
10
-1
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
S
rel
= f(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2014-01-10
5
查看更多>
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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