BPX43-3

Photo Transistor, 880nm, 0.05A I(C)

参数预览参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Infineon(英飞凌)

Reach Compliance Code

not_compliant

最大暗电源

300 nA

JESD-609代码

安装特点

THROUGH HOLE MOUNT

最大通态电流

0.05 A

最高工作温度

125 °C

最低工作温度

-55 °C

峰值波长

880 nm

最大功率耗散

0.33 W

最长响应时间

0.000012 s

表面贴装

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

文档预览

参数对比

与BPX43-3相近的元器件有：BPX43-4、BPX43-2。描述及对比如下：

型号	BPX43-3	BPX43-4	BPX43-2
描述	Photo Transistor, 880nm, 0.05A I(C)	Photo Transistor, 880nm, 0.05A I(C),	Photo Transistor, 880nm, 0.05A I(C)
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	_compli
最大暗电源	300 nA	300 nA	300 nA
JESD-609代码	e0	e0	e0
安装特点	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT
最大通态电流	0.05 A	0.05 A	0.05 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C
峰值波长	880 nm	880 nm	880 nm
最大功率耗散	0.33 W	0.33 W	0.33 W
最长响应时间	0.000012 s	0.000015 s	0.000009 s
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

热门器件

器件捷径:

S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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