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BR1510-G

BRIDGE DIODE 10A 1000V BR
桥 二极管 10A 1000V BR

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Comchip Technology

厂商官网:http://www.comchiptech.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Comchip Technology
包装说明
R-XUFM-D4
Reach Compliance Code
compli
其他特性
UL RECOGNIZED
外壳连接
ISOLATED
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
R-XUFM-D4
最大非重复峰值正向电流
300 A
元件数量
4
相数
1
端子数量
4
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
15 A
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压
1000 V
表面贴装
NO
端子形式
SOLDER LUG
端子位置
UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
Silicon Bridge Rectifiers
BR10/15/25/35/50A -G SERIES
"-G" : RoHS Device
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000V
FORWARD CURRENT
- 10/15/25/35/50
A
BR
METAL HEAT SINK
.442(11.23)
.424(10.77)
.925(23.5)
.886(22.5)
0.94
(2.4)
diam
.254(6.45)
.242(6.15)
1.133(28.8)
1.114(28.3)
.661(16.8)
.648(16.4)
FEATURES
- Surge
overload -240~500amperes peak
- Low
forward voltage drop
- Mounting
position: Any
- Electrically
isolated base -2000 Volts
- Solderable
0.25" FASTON terminals
- Materials
used carries U/L recognition
.035(0.9)
.028(0.7)
Hole for
No.8 screw
193"(4.9)diam
.720(18.3)
.705(17.9)
.661(16.8)
.648(16.4)
1.133(28.8)
1.114(28.3)
.571(14.5)
.555(14.1)
Dimensions in inches and (milimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25c℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load 60H
Z
.
For capacitive load current by 20%
BR
10005
BR
1001
1501
2501
3501
5001
100
70
10
BR
10
240
BR
15
BR
1002
1502
2502
3502
5002
200
140
15
300
BR
25
BR
1004
1504
2504
3504
5004
400
280
25
400
BR
35
BR
1006
1506
2506
3506
5006
600
420
BR
1008
1508
2508
3508
5008
800
560
35
400
BR
50
BR
1010
1510
2510
3510
5010
1000
700
50
500
V
V
A
UNIT
CHARACTERISTICS
SYMBOL
15005
25005
35005
50005
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Output Current
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load
Maximum Forward Voltage Drop
Per Element at 5.0/7.5/12.5/17.5/25.0A Peak
Maximum Reverse Current at Rated
DC Blocking Voltage Per Element
Operating Temperature Rang
Storage Temperature Rang
@T
A
=25℃
@Tc=55℃
V
RRM
V
RMS
I
(AV)
50
35
I
FSM
A
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.1
10.0
-55 to +125
-55 to +125
V
μA
MDS0912002A
Page 1
Silicon Bridge Rectifiers
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BR10/15/25/35/50A -G SERIES
FIG.1-MAXIMUM FORWARD SURGE CURRENT
600
PEAK FORWARD SURGE CURRENT ,
AMPERES
BR50
FIG.2- DERATING CURVE OUTPUT
RECTIFIED CURRENT
AVERAGE FORWARD OUTPUT CURRENT ,
AMPERES
50
40
BR35
500
BR25/35
BR50
400
BR15
300
200
100
BR10
30
20
BR25
10
BR15
BR10
0
1
10
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
100
0
50
100
150
CASE TEMPERATURE,°C
FIG.3-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
100
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT ,(A)
BR35/50
BR15
BR25
BR10
FIG.4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
10
10
INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT,
MICROAMPERES
1.0
1.0
0.1
0.1
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,VOLTS
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE
MDS0912002A
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