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BR24L01AFVJ-WTR

EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ROHM(罗姆半导体)

厂商官网:https://www.rohm.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码
SOIC
包装说明
ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
针数
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最大时钟频率 (fCLK)
0.4 MHz
JESD-30 代码
S-PDSO-G8
长度
3 mm
内存密度
1024 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
8
字数
128 words
字数代码
128
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128X8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装形状
SQUARE
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行
SERIAL
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.1 mm
串行总线类型
I2C
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
1.8 V
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
DUAL
宽度
3 mm
最长写入周期时间 (tWC)
5 ms
参数对比
与BR24L01AFVJ-WTR相近的元器件有:BR24L01AF-WTR、BR24L01AFVT-WTR、BR24L01AFVM-WE2、BR24L01AFJ-WTR、BR24L01ANUX-WE2、BR24L01AFV-WTR。描述及对比如下:
型号 BR24L01AFVJ-WTR BR24L01AF-WTR BR24L01AFVT-WTR BR24L01AFVM-WE2 BR24L01AFJ-WTR BR24L01ANUX-WE2 BR24L01AFV-WTR
描述 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, MSOP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 2 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, VSON-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SSOP-8
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC MSOP SOIC SON SOIC
包装说明 ROHS COMPLIANT, TSSOP-8 ROHS COMPLIANT, SOP-8 LSSOP, ROHS COMPLIANT, MSOP-8 ROHS COMPLIANT, SOP-8 2 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, VSON-8 ROHS COMPLIANT, SSOP-8
针数 8 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
JESD-30 代码 S-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-N8 R-PDSO-G8
长度 3 mm 5 mm 4.4 mm 2.9 mm 4.9 mm 3 mm 4.4 mm
内存密度 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8
字数 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words
字数代码 128 128 128 128 128 128 128
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP SOP LSSOP VSSOP SOP HVSON LSSOP
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C I2C I2C I2C
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING NO LEAD GULL WING
端子节距 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 1.27 mm 0.5 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 3 mm 4.4 mm 3 mm 2.8 mm 3.9 mm 2 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
座面最大高度 1.1 mm - 1.25 mm 0.9 mm - 0.6 mm 1.25 mm
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