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BR25L010FVM-W

SPI BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM

器件类别：存储    存储   

厂商名称：ROHM(罗姆半导体)

厂商官网：https://www.rohm.com/

器件标准：

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码
MSOP
包装说明
VSSOP, TSSOP8,.16
针数
8
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
最大时钟频率 (fCLK)
5 MHz
数据保留时间-最小值
40
耐久性
1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e2
长度
2.9 mm
内存密度
1024 bi
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
8
字数
128 words
字数代码
128
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128X8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
VSSOP
封装等效代码
TSSOP8,.16
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）
260
电源
2/5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
0.9 mm
串行总线类型
SPI
最大待机电流
0.000002 A
最大压摆率
0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
1.8 V
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
10
宽度
2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC)
5 ms
写保护
HARDWARE/SOFTWARE
文档预览
Appendix
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exploit any intellectual property rights or other proprietary rights owned or controlled by
ROHM CO., LTD. is granted to any such buyer.
Products listed in this document are no antiradiation design.
The products listed in this document are designed to be used with ordinary electronic equipment or devices
(such as audio visual equipment, office-automation equipment, communications devices, electrical
appliances and electronic toys).
Should you intend to use these products with equipment or devices which require an extremely high level of
reliability and the malfunction of with would directly endanger human life (such as medical instruments,
transportation equipment, aerospace machinery, nuclear-reactor controllers, fuel controllers and other
safety devices), please be sure to consult with our sales representative in advance.
About Export Control Order in Japan
Products described herein are the objects of controlled goods in Annex 1 (Item 16) of Export Trade Control
Order in Japan.
In case of export from Japan, please confirm if it applies to "objective" criteria or an "informed" (by MITI clause)
on the basis of "catch all controls for Non-Proliferation of Weapons of Mass Destruction.
Appendix1-Rev1.1
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参数对比
与BR25L010FVM-W相近的元器件有：BR25L010F-W、BR25L010FJ-W、BR25L010FV-W、BR25L010FVT-W、BR25L010FVJ-W。描述及对比如下：
型号 BR25L010FVM-W BR25L010F-W BR25L010FJ-W BR25L010FV-W BR25L010FVT-W BR25L010FVJ-W
描述 SPI BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM SPI BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM SPI BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM SPI BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM SPI BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM SPI BUS 1Kbit (128 x 8bit) EEPROM
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码 MSOP SOIC SOIC SOIC SOIC SOIC
包装说明 VSSOP, TSSOP8,.16 LSOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 LSSOP, TSSOP8,.25 LSSOP, TSSOP,
针数 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 5 MHz 5 MHz 5 MHz 5 MHz 5 MHz 5 MHz
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 S-PDSO-G8
JESD-609代码 e2 e2 e2 e2 e2 e2
长度 2.9 mm 5 mm 4.9 mm 4.4 mm 4.4 mm 3 mm
内存密度 1024 bi 1024 bi 1024 bi 1024 bi 1024 bi 1024 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8
字数 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words
字数代码 128 128 128 128 128 128
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VSSOP LSOP SOP LSSOP LSSOP TSSOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, LOW PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
串行总线类型 SPI SPI SPI SPI SPI SPI
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10 10
宽度 2.8 mm 4.4 mm 3.9 mm 3 mm 3 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
数据保留时间-最小值 40 40 40 40 - -
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles - -
封装等效代码 TSSOP8,.16 SOP8,.25 SOP8,.25 TSSOP8,.25 - -
电源 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V - -
座面最大高度 0.9 mm 1.6 mm - 1.25 mm 1.25 mm 1.05 mm
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A - -
最大压摆率 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA - -
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE - -
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