桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
BSS84
SOT-23
場效應晶體管(SOT-23
Field Effect Transistors)
P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
P
沟道增强型
MOS
场效应管
■
MAXIMUM
RATINGS
最大額定值
Symbol
符號
BV
DSS
V
GS
I
DR
I
DRM
Max
最大值
-50
+20
-130
-520
Unit
單½
V
V
mA
mA
Characteristic
特性參數
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
■
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
Characteristic
特性
Total Device Dissipation
½耗散功率
T
A
=
25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃
超過
25℃遞減
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
Symbol
符號
P
D
Max
最大值
200
1.8
Unit
單½
mW
mW/℃
℃/W
R
Θ
JA
T
J
,
T
stg
350
150℃,-55to+150℃
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
BSS84
■
DEVICE
MARKING
打標
BSS84=SP
BSS84=
■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明，溫度爲
25℃)
Characteristic
特性參數
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(I
D
=-250uA ,V
GS
=0V)
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(I
D
=-250uA ,V
GS
= V
DS
)
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(I
SD
=-200mA ,V
GS
=0V)
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(V
GS
=0V, V
DS
= -50V)
(V
GS
=0V, V
DS
=-50V, T
A
=
125℃)
Gate Body Leakage
栅極漏電流(V
GS
=+20V, V
DS
=0V)
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(I
D
=-100mA ,V
GS
=-5V)
Input Capacitance
輸入電容
(V
GS
=0V, V
DS
=-25V,f=1MHz)
Common Source Output Capacitance
共源輸出電容
(V
GS
=0V, V
DS
=-25V,f=1MHz)
Turn-ON Time
开启時間
(V
DS
=-30V, I
D
=-270mA, R
GEN
=6
Ω
)
Turn-OFF Time
关断時間
(V
DS
=-30V, I
D
=-270mA, R
GEN
=6
Ω
)
Reverse Recovery Time
反向恢复時間
(I
SD
=-100mA, V
GS
=0V)
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3.
Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0%.
Symbol
符號
BV
DSS
V
GS(th)
V
SD
Min
最小值
-50
-1.0
—
Typ
典型值
—
—
—
Max
最大值
—
-2.5
-1.5
Unit
單½
V
V
V
I
DSS
—
—
-15
-60
+10
u
A
I
GSS
R
DS(ON)
C
ISS
C
OSS
t
(on)
t
(off)
t
rr
—
—
n
A
—
—
—
—
—
—
—
73
10
—
—
10
10
—
—
5
20
—
Ω
pF
pF
ns
ns
ns
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
BSS84
■
DIMENSION
外½封裝尺寸
單½(UNIT)：mm
