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BY584

DIODE 0.05 A, 1800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SOD-61A, 2 PIN, Signal Diode

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
NXP(恩智浦)
零件包装代码
SOD
包装说明
E-LALF-W2
针数
2
制造商包装代码
SOD-61A
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
8.5 V
JESD-30 代码
E-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流
5 A
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
120 °C
最低工作温度
-65 °C
最大输出电流
0.05 A
封装主体材料
GLASS
封装形状
ELLIPTICAL
封装形式
LONG FORM
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
1800 V
最大反向恢复时间
0.2 µs
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
参数对比
与BY584相近的元器件有:BY584T/R。描述及对比如下:
型号 BY584 BY584T/R
描述 DIODE 0.05 A, 1800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SOD-61A, 2 PIN, Signal Diode DIODE 0.05 A, 1800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 E-LALF-W2 E-LALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 E-LALF-W2 E-LALF-W2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 120 °C 120 °C
最大输出电流 0.05 A 0.05 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ELLIPTICAL ELLIPTICAL
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1800 V 1800 V
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
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