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BYV28-200/41113

DIODE 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
NXP(恩智浦)
包装说明
O-LALF-W2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
应用
ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.02 V
JESD-30 代码
O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流
90 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-65 °C
最大输出电流
3.5 A
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
200 V
最大反向电流
5 µA
最大反向恢复时间
0.025 µs
表面贴装
NO
技术
AVALANCHE
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
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