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BZG05C4V7/2Q

DIODE 4.7 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Voltage Regulator Diode

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Vishay(威世)

厂商官网:http://www.vishay.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Vishay(威世)
零件包装代码
DO-214AC
包装说明
R-PDSO-C2
针数
2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
最大动态阻抗
15 Ω
JEDEC-95代码
DO-214AC
JESD-30 代码
R-PDSO-C2
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
1.25 W
认证状态
Not Qualified
标称参考电压
4.7 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子面层
TIN LEAD
端子形式
C BEND
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
6.38%
工作测试电流
45 mA
文档预览
BZG05C Series
New Product
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Surface Mount Glass Passivated Zeners
DO-214AC (SMA)
Cathode Band
Zener Voltage
3.3 to 15V
Steady State Power
1.25W
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
Mounting Pad Layout
0.060 MIN
(1.52 MIN)
0.094 MAX
(2.38 MAX)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.050 MIN
(1.27 MIN)
0.008 (0.203) MAX.
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.220 REF
(5.58)
Dimensions in inches and (millimeters)
Mechanical Data
Case:
JEDEC DO-214AC molded plastic over
passivated junction
Terminals:
Solder plated, solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds at terminals
Polarity:
Color band denotes positive end (cathode)
Mounting Position:
Any
Weight:
0.002oz., 0.064g
Packaging Codes – Options (Antistatic):
2P – 1.8K per 7” plastic Reel
(12mm tape), 36K/carton
2Q – 7.5K per 13” plastic Reel
(12mm tape), 75K/carton
Features
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
• For surface mounted applications
• Planar, oxide passivated chip junction
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
Parameter
Power Dissipation
(1)
Non repetitive peak surge power dissipation
(2)
Maximum junction temperature
Storage temperature range
Typical thermal resistance junction to lead
Maximum thermal resistance junction to ambient
(1)
Notes:
(1) Mounted on aluminum-oxide substrate
(2) t
p
=100µs sq. pulse, T
J
=25°C prior to surge
A
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
P
tot
P
ZSM
T
J
T
stg
R
ΘJL
R
ΘJA
Value
1.25
60
150
–65 to +150
30
100
Unit
W
W
°C
°C
°C/W
°C/W
Document Number 88313
26-Apr-02
www.vishay.com
1
BZG05C Series
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Electrical Characteristics
Type
BZG05C3V3
BZG05C3V6
BZG05C3V9
BZG05C4V3
BZG05C4V7
BZG05C5V1
BZG05C5V6
BZG05C6V2
BZG05C6V8
BZG05C7V5
BZG05C8V2
BZG05C9V1
BZG05C10
BZG05C11
BZG05C12
BZG05C13
BZG05C15
Marking
Code
GA
GB
GC
GD
GE
GF
GG
GH
GI
GJ
GK
GL
GM
GN
GO
GP
GQ
Min
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.4
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Maximum V
F
= 1.2V at I
F
= 0.2A
I
ZT
(mA)
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
20
15
r
zk
(Ω)
Max
500
500
500
500
500
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
400
500
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
at
I
zk
(mA)
I
R
(µA)
Max
40
20
10
3
3
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1
1
1
1
1
1.5
2
3
4
4.5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
at
V
R
(V)
V
Z
at I
ZT
(V)
Max
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
r
zj
at I
ZT
(Ω)
Max
25
25
20
15
15
15
10
5
4
3.5
6
6
8
10
10
12
20
α
vz
at I
ZT
(%/°C)
Typ
-0.08
-0.08
-0.07
-0.07
-0.03
-0.01
0.00
0.01
0.02
0.02
0.03
0.04
0.04
0.05
0.05
0.05
0.06
Max
-0.05
-0.05
-0.02
-0.01
0.04
0.04
0.05
0.06
0.06
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.09
0.09
0.09
www.vishay.com
2
Document Number 88313
26-Apr-02
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