BZM55-B5V6,BZM55-B5V6 pdf中文资料,BZM55-B5V6引脚图,BZM55-B5V6电路-Datasheet-电子工程世界

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BZM55 Series

Zener Voltage Range: 2.4 to 75 Volts

Zener Diodes

Power Dissipation: 500mW

Features

Saving space

Hermetic sealed parts

Electrical data identical with the devices BZT55..Series

Fits onto SOD-323 / SOD-110 footprints

Very sharp reverse characteristic

Low reverse current level

Very high stability

Low noise

Available with tighter tolerances

For voltage stabilization

Package Dimensions in mm (inches)

Mechanical Data

Case: MicroMELF

Weight: approx. 12 mg

Maximum Ratings and Thermal Characteristics

amb

=25

C, unless otherwise specified)

Parameter

Zener current (see Table "Characteristics")

Power dissipation at R

thJA

< 300K/W

Junction temperature

Storage temperature range

Forward voltage at I

=200mA

Junction ambient (mounted on epoxy-glass hard tissue, Fig.1)

Junction ambient (35

m copper clad, 0.9mm copper area per

electrode))

Symbol

tot

stg

Value

tot

500

175

-65 to +175

1.5

500

300

Unit

K/W

512

Electrical Characteristics

=25

C unless otherwise noted)

Zener voltage

@ I

(V)

Dynamic resistance

at I

f=1kHz

Ω

z j

(Ω)

< 85

< 90

< 80

< 60

< 40

< 10

< 15

< 20

< 26

< 30

< 40

< 50

< 55

< 80

< 90

< 110

< 125

< 135

< 150

< 200

< 250

at I

f=1kHz

Ω

z j

(Ω)

< 600

< 550

< 450

< 200

< 150

< 50

< 70

< 90

< 110

< 170

< 220

< 500

< 600

< 700

< 1000

< 1500

Test

current

Temperature

coefficient

(% / K)

Test

current

Reverse leakage current

amb

=25

(uA)

<50

<10

<0.5

<0.1

amb

=150

(uA)

<100

<50

<40

<20

<10

Part number

C for

5% V

BZM55-C2V4

BZM55-C2V7

BZM55-C3V0

BZM55-C3V3

BZM55-C3V6

BZM55-C3V9

BZM55-C4V3

BZM55-C4V7

BZM55-C5V1

BZM55-C5V6

BZM55-C6V2

BZM55-C6V8

BZM55-C7V5

BZM55-C8V2

BZM55-C9V1

BZM55-C10

BZM55-C11

BZM55-C12

BZM55-C13

BZM55-C15

BZM55-C16

BZM55-C18

BZM55-C20

BZM55-C22

BZM55-C24

BZM55-C27

BZM55-C30

BZM55-C33

BZM55-C36

BZM55-C39

BZM55-C43

BZM55-C47

BZM55-C51

BZM55-C56

BZM55-C62

BZM55-C68

BZM55-C75

Min.

Max.

(mA)

2.5

Min.

- 0.09

- 0.08

- 0.06

- 0.05

- 0.02

- 0.05

+ 0.03

+ 0.04

Max.

- 0.06

- 0.05

- 0.03

+ 0.02

+ 0.05

+ 0.06

+ 0.07

+ 0.08

+ 0.09

+ 0.1

+ 0.11

+ 0.12

(mA)

0.5

at V

(Volts)

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

2.28

2.50

2.80

3.10

3.40

3.70

4.00

4.40

4.80

5.20

5.80

6.40

7.00

7.70

8.50

9.40

10.40

11.40

12.40

13.80

15.30

16.80

18.80

20.80

22.80

25.10

28.00

31.00

34.00

37.00

40.00

44.00

48.00

52.00

58.00

64.00

70.00

2.56

2.90

3.20

3.50

3.80

4.10

4.60

5.00

5.40

6.00

6.60

7.20

7.90

8.70

9.60

10.60

11.60

12.70

14.10

15.60

17.10

19.10

21.20

23.30

25.60

28.90

32.00

35.00

38.00

41.00

46.00

50.00

54.00

60.00

66.00

72.00

79.00

Notes:

1. t

< 10 ms, T/t

> 1000.

*) Additionnal measurement of Voltage group 9V1 to 75 at 95 % V

zmin

< 35 nA at T

513

Electrical Characteristics

=25

C unless otherwise noted)

Zener voltage

@ I

(V)

Dynamic resistance

at I

f=1kHz

Ω

z j

(Ω)

< 85

< 90

< 80

< 60

< 40

< 10

< 15

< 20

< 26

< 30

< 40

< 50

< 55

< 80

< 90

< 110

< 125

< 135

< 150

< 200

< 250

at I

f=1kHz

Ω

z j

(Ω)

< 600

< 550

< 450

< 200

< 150

< 50

< 70

< 90

< 110

< 170

< 220

< 500

< 600

< 700

< 1000

< 1500

Test

current

Temperature

coefficient

(% / K)

Test

current

Reverse leakage current

amb

=25

(uA)

<50

<10

<0.5

<0.1

amb

=150

(uA)

<100

<50

<40

<20

<10

Part number

B for

2% V

BZM55-B2V4

BZM55-B2V7

BZM55-B3V0

BZM55-B3V3

BZM55-B3V6

BZM55-B3V9

BZM55-B4V3

BZM55-B4V7

BZM55-B5V1

BZM55-B5V6

BZM55-B6V2

BZM55-B6V8

BZM55-B7V5

BZM55-B8V2

BZM55-B9V1

BZM55-B10

BZM55-B11

BZM55-B12

BZM55-B13

BZM55-B15

BZM55-B16

BZM55-B18

BZM55-B20

BZM55-B22

BZM55-B24

BZM55-B27

BZM55-B30

BZM55-B33

BZM55-B36

BZM55-B39

BZM55-B43

BZM55-B47

BZM55-B51

BZM55-B56

BZM55-B62

BZM55-B68

BZM55-B75

Min.

Max.

(mA)

2.5

Min.

- 0.09

- 0.08

- 0.06

- 0.05

- 0.02

- 0.05

+ 0.03

+ 0.04

Max.

- 0.06

- 0.05

- 0.03

+ 0.02

+ 0.05

+ 0.06

+ 0.07

+ 0.08

+ 0.09

+ 0.1

+ 0.11

+ 0.12

(mA)

0.5

at V

(Volts)

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

2.35

2.65

2.94

3.24

3.52

3.82

4.22

4.6

5.00

5.48

6.08

6.66

7.35

8.04

8.92

9.80

10.78

11.76

12.74

14.70

15.70

17.64

19.60

21.55

23.50

26.40

29.40

32.40

35.30

38.20

42.10

46.10

50.00

54.90

60.80

66.60

73.50

2.45

2.76

3.06

3.36

3.68

3.98

4.38

4.8

5.20

5.72

6.32

6.94

7.65

8.36

9.28

10.20

11.22

12.24

13.26

15.30

16.30

18.36

20.40

22.45

24.50

27.60

30.60

33.60

36.70

39.80

43.90

47.90

52.00

57.10

63.20

69.40

76.50

Notes:

1. t

< 10 ms, T/t

> 1000.

*) Additionnal measurement of Voltage group 9V1 to 75 at 95 % V

zmin

< 35 nA at T

514

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES

= 25

C unless otherwise noted)

515

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES

= 25

C unless otherwise noted)

516

台二线封测厂营运展望渐入佳境车用电子NOR Flash需求热络

2017年台系半导体封测产业呈现营运逐季升温趋势，封测业者表示，在最大宗的移动通讯应用领域，由于iPhone新品姗姗来迟，加上台系IC设计大厂联发科等调整战略，以及整合面板触控IC(TDDIIC)等新品第4季量能才大增，能够守稳功率元件如MOSFET、PMIC、车用MCU、NORFlash、DRAM、MEMS传感器、CMOS传感器的二线封测厂如欣铨、捷敏、华东、矽格、逸昌、菱生等，营运表现...[详细]
并购还是有机增长？在市场恐惧时中国芯企业/产业资本该如何像巴菲特一样贪婪？

华兴万邦技术经济学评论并购还是有机增长？在市场恐惧时中国芯企业/产业资本该如何像巴菲特一样贪婪？作为一个以创新实现高速增长的行业，半导体行业一直是资本市场的热点。从硅谷核心地带帕洛•阿尔托市(PaloAlto)门罗公园(MenloPark)旁的沙丘路(SandHillRoad)上开始聚集风险投资公司，到前几年半导体行业的疯狂收购兼并，再到近年来我国股民狂买芯片股和全国各地...[详细]
台积电下月将量产iPhone8 A11处理器

据台湾经济日报报道，台积电为苹果代工的A11处理器下月正式量产，预计7月前备货5000万颗，意谓苹果iPhone8也将于7月密集备货，让整个苹果供应链动起来。台积电供应链透露，台积电将为苹果新机在今年底前备货1亿颗，反映苹果相当看好十周年新机销售，在年前写下历年最佳销售纪录，可预期今年也将是苹果历年来最高备货潮。台积电是继以20nm拿下苹果A9处理器独家代工后，再次以10nm制程，且整合独...[详细]
半导体领域价格飞涨美光科技财报解读

　　今年半导体圈一个重要的变化就是内存价格的飞涨，任何一个资深的投资人士都对价格上涨有狗鼻子一般的灵敏，因为不管是什么产品如果价格在短期内暴涨，那么提供这个产品的公司会大大收益，而如果这个公司又是上市公司的话，就意味这股价也会随之大涨。我们今天来看看收益于这波行情的龙头股——美光　　二，上涨的原因　　2018财年Q1美光营收之所以环比增长11%，主要是受惠于市场对手机、服务器和SSD产品的...[详细]
移动AI：安卓的死局，芯片的破晓 |地心进化论

这个9月，手机和AI之间突然变得基情四射。毫无疑问，最重要的原因还是苹果用iPhoneX搭载的FaceID等技术，展示了苹果在人工智能上的大规模部署。一方面科技舆论看苹果，苹果的动作必定引发行业趋势；另一方面基于A11芯片的机器学习能力，让业内开始思考人工智能给IOS后续生态带来的改变。二者相加，人工智能在手机圈的话语权水涨船高。加上月初华为发布的麒麟970移动AI芯片，似乎手机...[详细]
联发科Q2毛利率被看好未来将走出智能机红海

尽管台积电先前释出高端手机市场动能不佳的信息，但外资圈仍普遍看好联发科HelioP60芯片出货动能，以及客制化芯片（ASIC）与物联网业务持续成长。下半年预计联发科将展现强劲走升态势，最快下半年毛利率便可挑战40%。今年第一季度中国大陆智能手机市场去化库存，联发科首季营收496.54亿元新台币，较去年同期下滑11.4%，季减17.7%。港系外资则认为，联发科第1季营收表现符合预期，第2季...[详细]
晋华集成电路将量产内存芯片国产化空间大

据上证资讯报道，据电子行业媒体报道，福建晋华集成电路公司的生产线设备安装将于7月底完成，为三季度的大规模量产铺平了道路。数据显示，中国2017年芯片进口额约2600亿美元，存储芯片进口额接近800亿美元，而国产化率几乎为0。信达证券认为，随着大数据、物联网、人工智能的发展，智能终端对于存储数据量需求不断增加，2018年我国集成电路行业将延续快速增长。可关注亚翔集成、长电科技等。...[详细]
Intel “1.8nm”工艺抢先量产台积电：不评价我们的2nm还是最好的

在先进工艺上，台积电最近几年摇身一变成为全球的领导者，量产的3nm也是目前最先进的，Intel的主力工艺还是Intel7，也就是之前的10nmSF工艺演进而来。但在未来两年，格局可能会发生变化，因为Intel的目标是4年内掌握5代CPU工艺，特别是2024年Intel会在上半年、下半年分别量产20A、18A工艺，等效友商的2nm及1.8nm工艺。18A是Intel四年掌握五代CPU...[详细]
均胜电子采用高通芯片完成保时捷无线充电系统研发

电子网消息，近年来，技术创新成为引领汽车行业发展的关键驱动因素，集中体现为技术驱动的更加安全、环保、智能的功能和产品的涌现，同时新能源汽车、自动驾驶和智能网联已成为汽车与其他工业结合的热点。作为一家全球化的汽车零部件顶级供应商——宁波均胜电子股份有限公司（以下简称“均胜电子”），且主要致力于智能驾驶系统、汽车安全系统、新能源汽车动力管理系统以及高端汽车功能件总成等的研发与制造，这热潮中持续...[详细]
赵伟国辞紫光二董座专家：陆半导体策略恐转向

紫光集团董事长赵伟国请辞集团旗下紫光股份与紫光国芯董事长，工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)总监杨瑞临研判，大陆未来半导体策略可能转向，不排除更务实。赵伟国8日以工作繁忙为由，突然请辞紫光集团旗下紫光股份与紫光国芯董事长、董事职务，辞职后不再担任公司任何职务。赵伟国请辞消息传开后，引起国内各界热议。杨瑞临认为，赵伟国辞去紫光股份与紫光国芯董事长，应是清华控股大股东对赵伟国过去几年...[详细]
助力提升芯片质量和产量，半导体工艺监测中的光谱应用

根据检测工艺所处的环节，IC集成电路检测被分为设计验证、前道量检测和后道检测。前道量测、检测均会用到光学技术和电子束技术，其中光学量测通过分析光的反射、衍射光谱间接进行测量，其优点是速度快、分辨率高、非破坏性。后道检测工艺是芯片生产线的“质检员”，根据工艺在封装环节的前后顺序，后道检测可以分为CP测试和FT测试。在以上测试中，光谱仪可以用于膜厚测量、蚀刻终点监控等工艺中。(一) ...[详细]
台积电 30 周年庆的这些人那些事

这天，像是全球IC设计公司的武林大会。10月23日，台积电30周年论坛在台北君悦饭店举行。平常在市场上割喉竞争，难得现身的IC设计公司老板们，在这1天，为了向即将退休的教父张忠谋致敬，都不惜放下身段与恩怨，同台交换意见。光是观察这群人的互动，背后就透露出半导体产业竞合布局的玄机。这次论坛，也像是台积电的实力展示，从桌次安排就看得出学问。和台积电董事长张忠谋同桌的7家公司主管，都是台积电...[详细]
芯片短缺、厂商囤积迫使供应商的交货等待时间创下纪录

世界范围内的芯片短缺和制造商的囤积正在创造一个危险区，因为处理器的交货时间提升到了2017年以来的最长水平。据彭博社报道，跟踪相关供货情况的投资公司统计发现，Susquehanna从订购处理器到交付的等待时间在4月份延长到17周，在2021年开始之前，这通常是13周左右。Susquehanna报告的作者ChrisRolland说，这以数据已经是所有行业的平均水平，还有更极端的例子。例...[详细]
Synopsys数字和模拟定制设计平台通过TSMC 5nm工艺技术认证

2018年5月24日，中国北京——全球第一大芯片自动化设计解决方案提供商及全球第一大芯片接口IP供应商、信息安全和软件质量的全球领导者Synopsys（NASDAQ：SNPS）近日宣布，Synopsys设计平台获得TSMC最新版且最先进的5nm工艺技术认证，可用于客户先期设计。通过与TSMC的早期密切协作，ICCompiler™II的布局及布线解决方案采用下一代布局和合法化技术，...[详细]
恩智浦2014年第四季度及全年财务业绩概要

荷兰埃因霍温/中国上海，2015年2月9日讯恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）发布了2014年第四季度及全年（截至2014年12月31日）的财务业绩。公司第四季度的总收入为15.4亿美元，同比增长近19%，环比增长1.5%。2014年的总收入为56.5亿美元，同比增长17%，高于半导体行业整体增长的两倍。恩智浦首席执行官RichardClemmer表示：恩智浦2014年...[详细]