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BZW03-C150

DIODE 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
NXP(恩智浦)
包装说明
E-LALF-W2
针数
2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最小击穿电压
138 V
外壳连接
ISOLATED
最大钳位电压
204 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大动态阻抗
330 Ω
JESD-30 代码
E-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散
500 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ELLIPTICAL
封装形式
LONG FORM
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
1.75 W
认证状态
Not Qualified
标称参考电压
150 V
最大反向电流
10 µA
表面贴装
NO
技术
ZENER
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
最大电压容差
5%
工作测试电流
8 mA
文档预览
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
handbook, 2 columns
M3D118
BZW03 series
Voltage regulator diodes
Product specification
Supersedes data of April 1992
1996 May 14
Philips Semiconductors
Product specification
Voltage regulator diodes
FEATURES
Glass passivated
High maximum operating
temperature
Low leakage current
Excellent stability
Zener working voltage range:
7.5 to 270 V for 38 types
Transient suppressor stand-off
voltage range:
6.2 to 430 V for 45 types
Available in ammo-pack
Also available with preformed leads
for easy insertion.
DESCRIPTION
Rugged glass SOD64 package, using
a high temperature alloyed
BZW03 series
construction. This package is
hermetically sealed and fatigue free
as coefficients of expansion of all
used parts are matched.
2/3 page
k
(Datasheet)
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
P
tot
PARAMETER
total power dissipation

a
MAM205
Fig.1 Simplified outline (SOD64) and symbol.
CONDITIONS
T
tp
= 25
°C;
lead length 10 mm; see Fig.2
T
amb
= 45
°C;
see Fig.2;
PCB mounted (see Fig.6)
MIN.
MAX.
6.00
1.75
20
1000
500
+175
+175
UNIT
W
W
W
W
W
°C
°C
P
ZRM
P
ZSM
P
RSM
T
stg
T
j
repetitive peak reverse power
dissipation
non-repetitive peak reverse
power dissipation
non-repetitive peak reverse
power dissipation
storage temperature
junction temperature
t
p
= 100
µs;
square pulse;
T
j
= 25
°C
prior to surge; see Fig.3
10/1000
µs
exponential pulse (see Fig.7);
T
j
= 25
°C
prior to surge; see Fig.4
−65
−65
1996 May 14
2
Philips Semiconductors
Product specification
Voltage regulator diodes
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Total series
T
j
= 25
°C
unless otherwise specified.
SYMBOL
V
F
PARAMETER
forward voltage
CONDITIONS
I
F
= 1 A; see Fig.5
BZW03 series
MAX.
1.2
V
UNIT
Per type when used as voltage regulator diodes
T
j
= 25
°C
unless otherwise specified.
TYPE
No.
SUFFIX
(1)
WORKING VOLTAGE
V
Z
(V) at I
Z
MIN.
NOM.
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
MAX.
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
r
dif
(Ω) at I
Z
TYP.
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.1
1.2
1.2
1.3
1.3
1.5
1.6
1.8
2.5
4
5
6
7
10
12
14
18
20
22
25
30
40
MAX.
1.5
1.5
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
3.0
3.5
3.5
5
8
10
11
14
20
25
27
35
42
44
45
65
75
TEMPERATURE
COEFFICIENT
S
Z
(%/K) at I
Z
MIN.
0.00
0.03
0.03
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
MAX.
0.07
0.08
0.08
0.09
0.10
0.10
0.10
0.10
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
TEST
CURRENT
I
Z
(mA)
175
150
150
125
125
100
100
75
75
65
65
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
15
15
REVERSE CURRENT at
REVERSE VOLTAGE
I
R
(µA)
MAX.
1500
1200
40
20
15
10
4
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
at V
R
(V)
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
C7V5
C8V2
C9V1
C10
C11
C12
C13
C15
C16
C18
C20
C22
C24
C27
C30
C33
C36
C39
C43
C47
C51
C56
C62
C68
C75
C82
C91
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
1996 May 14
3
Philips Semiconductors
Product specification
Voltage regulator diodes
BZW03 series
TYPE
No.
SUFFIX
(1)
WORKING VOLTAGE
V
Z
(V) at I
Z
MIN.
NOM.
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
MAX.
106
116
127
141
156
171
191
212
233
256
289
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
r
dif
(Ω) at I
Z
TYP.
45
65
90
100
150
180
210
250
350
450
600
MAX.
90
125
170
190
330
350
430
500
700
900
1200
TEMPERATURE
COEFFICIENT
S
Z
(%/K) at I
Z
MIN.
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
MAX.
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
TEST
CURRENT
I
Z
(mA)
12
12
10
10
8
8
5
5
5
5
5
REVERSE CURRENT at
REVERSE VOLTAGE
I
R
(µA)
MAX.
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
at V
R
(V)
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
C100
C110
C120
C130
C150
C160
C180
C200
C220
C240
C270
Note
94
104
114
124
138
153
168
188
208
228
251
1. To complete the type number the suffix is added to the basic type number, e.g. BZW03-C100.
1996 May 14
4
Philips Semiconductors
Product specification
Voltage regulator diodes
Per type when used as transient suppressor diodes
T
j
= 25
°C
unless otherwise specified.
REVERSE
BREAKDOWN
VOLTAGE
V
(BR)R
(V)
at I
test
MIN.
BZW03-C7V5
BZW03-C8V2
BZW03-C9V1
BZW03-C10
BZW03-C11
BZW03-C12
BZW03-C13
BZW03-C15
BZW03-C16
BZW03-C18
BZW03-C20
BZW03-C22
BZW03-C24
BZW03-C27
BZW03-C30
BZW03-C33
BZW03-C36
BZW03-C39
BZW03-C43
BZW03-C47
BZW03-C51
BZW03-C56
BZW03-C62
BZW03-C68
BZW03-C75
BZW03-C82
BZW03-C91
BZW03-C100
BZW03-C110
BZW03-C120
BZW03-C130
BZW03-C150
BZW03-C160
1996 May 14
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
TEMPERATURE
COEFFICIENT
TEST
CURRENT
CLAMPING
VOLTAGE
V
(CL)R
(V)
MAX.
11.3
12.3
13.3
14.8
15.7
17.0
18.9
20.9
22.9
25.6
28.4
31.0
33.8
38.1
42.2
46.2
50.1
54.1
60.7
65.5
70.8
78.6
86.5
94.4
103.5
114.0
126
139
152
167
185
204
224
at I
RSM
(A)
note 1
44.2
40.6
37.6
34.0
31.8
29.4
26.4
23.9
21.8
19.5
17.6
16.1
14.8
13.1
11.8
10.8
10.0
9.2
8.2
7.6
7.0
6.3
5.8
5.3
4.8
4.3
3.9
3.6
3.3
3.0
2.7
2.4
2.2
BZW03 series
TYPE
NUMBER
REVERSE
CURRENT at
STAND-OFF
VOLTAGE
I
R
(µA)
MAX.
3000
2400
100
40
30
20
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
at V
R
(V)
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
S
Z
(%/K) at I
test
MIN.
0.00
0.03
0.03
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
MAX.
0.07
0.08
0.08
0.09
0.10
0.10
0.10
0.10
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
5
I
test
(mA)
175
150
150
125
125
100
100
75
75
65
65
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
15
15
12
12
10
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