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BZW03-C39/31133

DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：NXP(恩智浦)

厂商官网：https://www.nxp.com

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
NXP(恩智浦)
包装说明
O-LALF-W2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最小击穿电压
37 V
外壳连接
ISOLATED
最大钳位电压
54.1 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码
O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散
1000 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-65 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
1.75 W
认证状态
Not Qualified
最大反向电流
10 µA
表面贴装
NO
技术
AVALANCHE
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
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