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BZW04-44B

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 43.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:DIOTEC

厂商官网:http://www.diotec.com/

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BZW04-44B 在线购买

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器件:BZW04-44B

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
DIOTEC
零件包装代码
DO-15
包装说明
O-PALF-W2
针数
2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最大击穿电压
53.6 V
最小击穿电压
48.5 V
击穿电压标称值
51 V
外壳连接
ISOLATED
最大钳位电压
70.1 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码
DO-204AC
JESD-30 代码
O-PALF-W2
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值反向功率耗散
400 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-50 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性
BIDIRECTIONAL
最大功率耗散
1 W
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
43.6 V
表面贴装
NO
技术
AVALANCHE
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
BZW04-5V8 ... BZW04-376B
BZW04-5V8 ... BZW04-376B
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes
Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2005-07-15
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
Ø
3
±0.05
400 W
5.8...376 V
DO-15
(DO-204AC)
0.4 g
Nominal Stand-off voltage
Nominale Sperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
±0.5
Type
62.5
Ø
0.8
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings and Characteristics
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
I
F
= 25 A
T
A
= 25°C
T
A
= 75°C
T
A
= 25°C
V
BR
200 V
V
BR
> 200 V
6.3
±0.1
Grenz- und Kennwerte
P
PPM
P
M(AV)
I
FSM
V
F
V
F
T
j
T
S
R
thA
R
thT
400 W
1
)
1 W
2
)
40 A
3
)
< 3.0 V
3
)
< 6.5 V
3
)
-50...+175°C
-50...+175°C
< 45 K/W
< 15 K/W
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
1
2
3
Non-repetitive pulse see curve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BZW04-5V8 ... BZW04-376B
Maximum ratings
Type
Typ
Stand-off voltage
Sperrspannung
V
WM
[V]
BZW04-5V8
BZW04-6V4
BZW04-7V0
BZW04-7V8
BZW04-8V5
BZW04-9V4
BZW04-10
BZW04-11
BZW04-13
BZW04-14
BZW04-15
BZW04-17
BZW04-19
BZW04-20
BZW04-23
BZW04-26
BZW04-28
BZW04-31
BZW04-33
BZW04-37
BZW04-40
BZW04-44
BZW04-48
BZW04-53
BZW04-58
BZW04-64
BZW04-70
BZW04-78
BZW04-85
BZW04-94
BZW04-102
BZW04-111
BZW04-128
BZW04-136
BZW04-145
BZW04-154
BZW04-171
BZW04-188
BZW04-213
BZW04-239
BZW04-256
BZW04-273
BZW04-299
BZW04-342
BZW04-376
5.8
6.4
7.02
7.78
8.55
9.4
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
20.5
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53.0
58.1
64.1
70.1
77.8
85.8
94.0
102
111
128
136
145
154
171
188
213
239
256
273
299
342
376
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei V
WM
I
D
[µA]
1000
500
200
50
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
6.8 ± 5%
7.5 ± 5%
8.2 ± 5%
9.1 ± 5%
10 ± 5%
11 ± 5%
12 ± 5%
13 ± 5%
15 ± 5%
16 ± 5%
18 ± 5%
20 ± 5%
22 ± 5%
24 ± 5%
27 ± 5%
30 ± 5%
33 ± 5%
36 ± 5%
39 ± 5%
43 ± 5%
47 ± 5%
51 ± 5%
56 ± 5%
62 ± 5%
68 ± 5%
75 ± 5%
82 ± 5%
91 ± 5%
100 ± 5%
110 ± 5%
120 ± 5%
130 ± 5%
150 ± 5%
160 ± 5%
170 ± 5%
180 ± 5%
200 ± 5%
220 ± 5%
250 ± 5%
280 ± 5%
300 ± 5%
320 ± 5%
350 ± 5%
400 ± 5%
440 ± 5%
Breakdown voltage at I
T
= 1 mA
Abbruch-Spannung bei I
T
= 1 mA
*) at / bei I
T
= 10 mA
V
BR
[V]
6.45...7.14 *)
7.13...7.88 *)
7.79...8.61 *)
8.65...9.55
9.5...10.5
10.5...11.6
11.4...12.6
12.4...13.7
14.3...15.8
15.2...16.8
17.1...18.9
19.0...21.0
20.9...23.1
22.8...25.2
25.7...28.4
28.5...31.5
31.4...34.7
34.2...37.8
37.1...41.0
40.9...45.2
44.7...49.4
48.5...53.6
53.2...58.8
58.9...65.1
64.6...71.4
71.3...78.8
77.9...86.1
86.5...95.5
95.0...105
105...116
114...126
124...137
143...158
152...168
162...179
171...189
190...210
209...231
237...263
266...294
285...315
304...336
332...368
380...420
418...462
Grenzwerte
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei I
PPM
(10/1000 µs)
V
C
[V]
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
33.2
37.5
41.5
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77.0
85.0
92.0
103
113
125
137
152
165
179
207
219
234
246
274
301
344
384
414
438
482
548
603
I
PPM
[A]
38.0
35.4
33.0
30.0
27.6
25,7
24.0
22.0
19.0
17.8
16.0
14.5
13.0
12.0
10.7
9.6
8.8
8.0
7.4
6.7
6.2
5.7
5.2
4.7
4.3
3.9
3.5
3.2
2.9
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.9
0.8
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
BZW04-5V8 ... BZW04-376B
120
[%]
100
100
[%]
80
80
t
r
= 10 µs
60
60
P
PPM
/2
I
PPM
/2
40
40
I
PP
20
P
M(AV)
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
20
P
PP
0
0
t
P
1
2
3
[ms] 4
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
1
Steady state power dissip. vs. ambient temperature )
Dauer-Verlustleistung in Abh. v. d. Umgebungstemp.
1
)
10
2
[kW]
10
1
P
PP
0.1
0.1µs
t
P
1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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