汕头华汕电子器件有限公司
NPN
SILICON
TRANSISTOR
9013
晶½管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C047BJ-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：470×470µm
2
焊½尺寸：B 极
103×103µm
2
，E 极
98×98µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：SS9013，H9013，8050S
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（封装½式：TO-92）
T
stg
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温………………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率………………………………625mW
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………40V
V
CEO
——集电极—发射极电压……………………………20V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………5V
I
C
——集电极电流………………………………………700mA
█ 电参数
（T
a
=25℃）
（封装½式：TO-92）
参数符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat）
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
符
号 说 明
最小值 典型值 最大值
0.1
0.1
390
0.6
1.2
0.73
单½
µA
µA
测 试
条 件
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
基极—发射极导通电压
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
80
40
0.6
40
20
5
V
V
V
V
V
V
V
CB
=25V，I
E
=0
V
EB
=3V，I
C
=0
V
CE
=1V，I
C
=50mA
V
CE
=1V，I
C
=500mA
I
C
=500mA，I
B
=50mA
I
C
=500mA，I
B
=50mA
V
CE
=1V，I
C
=10mA
I
C
=100µA，I
E
=0
I
C
=1mA，I
B
=0
I
E
=100µA，I
C
=0
