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CAT28F001N-90BT

1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码
QFJ
包装说明
PLASTIC, LCC-32
针数
32
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
90 ns
其他特性
BOTTOM BOOT BLOCK
启动块
BOTTOM
命令用户界面
YES
数据轮询
NO
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PQCC-J32
长度
13.97 mm
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
湿度敏感等级
1
功能数量
1
部门数/规模
1,2,1
端子数量
32
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
128KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QCCJ
封装等效代码
LDCC32,.5X.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
5 V
编程电压
12 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
3.55 mm
部门规模
8K,4K,112K
最大待机电流
0.000001 A
最大压摆率
0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
切换位
NO
类型
NOR TYPE
宽度
11.43 mm
Base Number Matches
1
热门器件
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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