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CBR1F-D040S

BRIDGE RECTIFIER DIODE
桥式整流二极管

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Central Semiconductor

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Central Semiconductor
零件包装代码
DIP
包装说明
SMDIP-4
针数
4
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
最小击穿电压
400 V
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.3 V
JESD-30 代码
R-PDSO-G4
JESD-609代码
e0
最大非重复峰值正向电流
50 A
元件数量
4
相数
1
端子数量
4
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-65 °C
最大输出电流
1 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
400 V
最大反向电流
5 µA
最大反向恢复时间
0.2 µs
反向测试电压
400 V
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
CBR1F-D020S SERIES
SURFACE MOUNT
1 AMP FAST RECOVERY
SILICON BRIDGE RECTIFIER
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1F-D020S
Series types are fast recovery, full wave bridge
rectifiers mounted in a durable epoxy surface mount
molded case, utilizing glass passivated chips.
MARKING: FULL PART NUMBER
SMDIP CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise specified)
Peak Repetitive Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TA=40°C)
Peak Forward Surge Current
Rating for Fusing (t<8.35ms)
Operating and Storage
Junction Temperature
SYMBOL
VRRM
VR
VR(RMS)
IO
IFSM
I
2
t
TJ, Tstg
CBR1F-
D020S
200
200
140
CBR1F-
D040S
400
400
280
CBR1F-
D060S
600
600
420
1.0
50
3.74
-65 to +150
CBR1F- CBR1F-
D080S
D100S
800
800
560
1000
1000
700
UNITS
V
V
V
A
A
A
2
s
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
TYP
IR
IR
VF
trr
trr
trr
CJ
VR=Rated VRRM
VR=Rated VRRM, TA=125°C
IF=1.0A
IF=0.5A, IR=1.0A, Rec. to 0.25A (200V, 300V, 400V)
IF=0.5A, IR=1.0A, Rec. to 0.25A (600V)
IF=0.5A, IR=1.0A, Rec. to 0.25A (800V, 1000V)
VR=4.0V, f=1.0MHz
25
MAX
5.0
0.5
1.3
200
300
500
UNITS
µA
mA
V
ns
ns
ns
pF
R1 (4-January 2010)
CBR1F-D020S SERIES
SURFACE MOUNT
1 AMP FAST RECOVERY
SILICON BRIDGE RECTIFIER
SMDIP CASE - MECHANICAL OUTLINE
MARKING: FULL PART NUMBER
R1 (4-January 2010)
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
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参数对比
与CBR1F-D040S相近的元器件有：CBR1F-D020S、CBR1F-D080S、CBR1F-D020S_10、CBR1F-D060S、CBR1F-D100S。描述及对比如下：
型号 CBR1F-D040S CBR1F-D020S CBR1F-D080S CBR1F-D020S_10 CBR1F-D060S CBR1F-D100S
描述 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅 含铅 含铅 含铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor - Central Semiconductor Central Semiconductor
零件包装代码 DIP DIP DIP - DIP DIP
包装说明 SMDIP-4 SMDIP-4 SMDIP-4 - SMDIP-4 SMDIP-4
针数 4 4 4 - 4 4
Reach Compliance Code _compli _compli _compli - not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
最小击穿电压 400 V 200 V 800 V - 600 V 1000 V
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON - SILICON SILICON
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1.3 V 1.3 V - 1.3 V 1.3 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 - R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e0 e0
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A - 50 A 50 A
元件数量 4 4 4 - 4 4
相数 1 1 1 - 1 1
端子数量 4 4 4 - 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C - -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A - 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V 800 V - 600 V 1000 V
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA - 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs 0.5 µs - 0.3 µs 0.5 µs
反向测试电压 400 V 200 V 800 V - 600 V 1000 V
表面贴装 YES YES YES - YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Lead (Sn80Pb20) - Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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器件捷径:
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