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CBR6A-060

2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Central Semiconductor

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
4
元件数量
4
最小击穿电压
650 V
最大平均输入电流
2 A
加工封装描述
CASE A, 4 PIN
状态
ACTIVE
包装形状
ROUND
包装尺寸
CYLINDRICAL
端子形式
WIRE
端子涂层
TIN LEAD
端子位置
BOTTOM
包装材料
PLASTIC/EPOXY
工艺
AVALANCHE
结构
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
相数
1
最大重复峰值反向电压
600 V
最大非重复峰值正向电流
50 A
文档预览
Bridge Rectifiers, Controlled Avalanche*
Single Phase, Full Wave
1.5 to 35 Amperes
200 to 800 Volts
IO (AMPS)
@TA ( C)
@TC ( C)
IFSM (AMPS)
60
o
o
1.5
50
2.0
55
3.0
2.0 @ 25
3.0 @ 50
50
6.0
50
100
150
10
100
150
CASE
VRRM (VOLTS)
200
400
600
800
VF MAX @ IF
IR MAX @ VRRM
CASE A
CASE C
CASE CM
CBR1A-020
CBR1A-040
CBR1A-060
CBR1A-080
1.0V @ 1.0A
10µA
CBR2A-020
CBR2A-040
CBR2A-060
CBR2A-080
1.1V @ 2.0A
10µA
CBR3A-P020
CBR3A-P040
CBR3A-P060
CBR3A-P080
1.1V @ 1.5A
10µA
CBR6A-020
CBR6A-040
CBR6A-060
CBR6A-080
1.1V @ 3.0A
10µA
CBR10A-J020
CBR10A-J040
CBR10A-J060
CBR10A-J080
1.2V @ 5.0A
10µA
*AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGE
VRRM
200V
400V
600V
800V
MIN
250
450
650
850
175
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
MAX
700
900
1100
1300
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