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CDM6264CD3

CDM6264CD3

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Renesas(瑞萨电子)

厂商官网:https://www.renesas.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code
not_compliant
最长访问时间
200 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDIP-T28
JESD-609代码
e0
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
端子数量
28
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
8KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流
0.0006 A
最大压摆率
0.015 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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参数对比
与CDM6264CD3相近的元器件有:CDM6264E3、CDM6264ACD3。描述及对比如下:
型号 CDM6264CD3 CDM6264E3 CDM6264ACD3
描述 CDM6264CD3 IC,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC CDM6264ACD3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant _compli
最长访问时间 200 ns 150 ns 150 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T28 R-PDIP-T28 R-XDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8
端子数量 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC PLASTIC/EPOXY CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0006 A 0.00005 A 0.00035 A
最大压摆率 0.015 mA 0.045 mA 0.015 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B - 38535Q/M;38534H;883B
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