CMPZDA12VBK,CMPZDA12VBK pdf中文资料,CMPZDA12VBK引脚图,CMPZDA12VBK电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与CMPZDA12VBK相近的元器件有：CMPZDA12VTRLEADFREE、CMPZDA12VBKLEADFREE、CMPZDA12VTR13、CMPZDA12VTR13LEADFREE、CMPZDA12VTR。描述及对比如下：

型号	CMPZDA12VBK	CMPZDA12VTRLEADFREE	CMPZDA12VBKLEADFREE	CMPZDA12VTR13	CMPZDA12VTR13LEADFREE	CMPZDA12VTR
描述	Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional,	Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional,	Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional,	Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional,	Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional,	Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional,
是否无铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	不符合	符合	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	compliant	not_compliant	compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE	ZENER DIODE	ZENER DIODE	ZENER DIODE	ZENER DIODE	ZENER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0	e3	e3	e0	e3	e0
膝阻抗最大值	150 Ω	150 Ω	150 Ω	150 Ω	150 Ω	150 Ω
元件数量	2	2	2	2	2	2
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称参考电压	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
最大反向电流	0.1 µA	0.1 µA	0.1 µA	0.1 µA	0.1 µA	0.1 µA
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	ZENER	ZENER	ZENER	ZENER	ZENER	ZENER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	TIN LEAD	MATTE TIN (315)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	10	10	NOT SPECIFIED	10	NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max	8.435 mV/°C	8.435 mV/°C	8.435 mV/°C	8.435 mV/°C	8.435 mV/°C	8.435 mV/°C
最大电压容差	5%	5%	5%	5%	5%	5%
工作测试电流	5 mA	5 mA	5 mA	5 mA	5 mA	5 mA
最大动态阻抗	25 Ω	25 Ω	25 Ω	-	-	25 Ω

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ADAS 需要多轨 DC/DC 转换器

ADAS 基本知识高级驾驶员辅助系统 (Advanced Driver Assistance Systems，ADAS) 有助于安全行驶，并在系统检测到来自周围物体有风险时可提醒驾驶员，无论这是什么风险。增加 ADAS 系统是 2016 年至 2020 年汽车的主要发展趋势之一。这类系统一般提供动态功能，例如自适应巡航控制、盲点检...[详细]
2022年HDD机械硬盘出货量几乎减半，希捷 / 西数 / 东芝三巨头均大幅下滑

根据 Trendfocus 的一份新报告，2022 年 HDD 机械硬盘出货量几乎减半，所有厂商的出货量都大幅下降，希捷和西部数据的出货量也几乎减半。根据这一数据，机械硬盘 HDD 行业三巨头在 2022 年都出现了大幅销量下滑。2022 年，希捷的 HDD 出货量下降了 43.7%，西部数据同样糟糕，年环比下滑了 43.0%。东芝 2022 年出货量年环比下滑 39.3%。图源 T...[详细]
3万多三星员工无限期全面罢工，公司拒发工资：SSD等存储面临涨价

7月18日消息，三星电子全国工会于7月8日开始首次总罢工，并于7月11日进入无限期总罢工，而目前双方都还没有缓和的意思。据三星官方说法，从7月8日到7月12日参加连续五天罢工的工会成员将不会获得每周的假日工资，导致下个月的工资中扣除6天的正常工资。根据工会会员的级别，助理经理级工会会员将因上周的罢工损失90万~120万韩元（约合868美元），经理级工会会员将因上周的罢工损失110万~150万...[详细]
设计简易的隔离式偏压电源

本文将探讨如何以最少零件、最低复杂度及最节省成本的方法，针对闸极驱动、隔离感测与通讯电路，设计隔离式电源供应电路。当输入电压较低，而且电路通电时允许少许(5%) 电压偏差，就能够使用这种电路。图1的例子示范了专为简易隔离式偏压电源所开发的IC，任何允许下沉操作（sink operaton）的同步降压电路均可使用。这种电路称为非对称半桥返驰电路(asymmetrical ha...[详细]
英飞凌推出车用32位多核单片机系列AURIX

2012年5月21日，德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出满足汽车行业的动力总成和安全应用的各种要求的全新32位多核单片机系列。全新的AURIX系列的多核架构包含多达三颗独立32位TriCore 处理内核，可满足业界的最高安全标准。此外，相比于现有的一流器件，其性能提升一倍。由于具备出色的实时性能，以及嵌入式安全与防护功能，AURI...[详细]
SanDisk携东芝推19奈米记忆晶片下半年量产

全球快闪记忆体大厂SanDisk(NASDAQ: SNDK)今日宣布推出以19奈米记忆体制程技术之64GB x2 (2-bits-per-cell )记忆体晶片，预计今年下半年量产，而这项最新的技术将有助SanDisk日后针对手机、平板电脑与其他装置，推出兼具高容量与小尺寸的嵌入式可抽取储存装置。日本311东北强震不影响NAND Flash厂持续投入先进制程的脚...[详细]
DS18B20的51单片机驱动源代码

#include reg52.h #include intrins.h #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit duan=P0^0; sbit wei=P0^1; //#define DQ RC1 //#define DQ_HIGH() TRISC1=1 //#define DQ_LOW() TRISC1=0;DQ=...[详细]
“小而美”的智能电动车：底盘该如何设计？

本文分析主要集中于电动轮的结构形式选择、驱动布置方案、悬架形式、以及非簧质量的控制等四个方面进行。本文主要聊一聊小而美的电动车该如何设计底盘，分析主要集中于电动轮的结构形式选择、驱动布置方案、悬架形式、以及非簧质量的控制等四个方面进行。一、电动轮结构形式的选择电动汽车的电动轮按照驱动方式分类，可以分为减速驱动和直接驱动两大类型 (1) 减速驱动型电动轮起源于矿用车的传统电动...[详细]
基于STM32单片机的端口复用与端口重映射

一、使用复用功能（AF）时，要对端口位配置寄存器进行编程。 1）对于复用的输入功能，配置必须为上拉/下拉或者浮空； 2）对于复用输出功能，配置必须为复用功能输出模式（推挽，开漏）。对于双向复用功能，必须配置为复用功能输出模式（推挽或者开漏），此时输入驱动器配置为浮空输入模式。如果将一端口配置成复用输出功能，会将引脚和输入寄存器断开，并和片上外设的输出信号连接。如果软件将一GPI...[详细]
Atos和NVIDIA利用E级计算，推进气候和医疗研究

全新卓越人工智能实验室将借助高性能计算和AI，大规模解决科学难题 Atos和NVIDIA今日宣布成立卓越人工智能实验室（Excellence AI Lab，简称EXAIL），该实验室将汇聚一批科学家和研究人员，助力推进欧洲计算技术、教育和研究的发展。该实验室的首批研究项目将集中在高性能计算和人工智能的进步所推动的五大关键领域：气候研究、医疗和基因组学、与量子计算的结合、边缘人工智能/计...[详细]
利用PLC控制步进电机实现准确定位

在自动化生产、加工和控制过程中，经常要对加工工件的尺寸或机械设备移动的距离进行准确定位控制。这种定位控制仅仅要求控制对象按指令进入指定的位置，对运动的速度无特殊要求，例如生产过程中的点位控制(比较典型的如卧式镗床、坐标镗床、数控机床等在切削加工前刀具的定位)，仓储系统中对传送带的定位控制，机械手的轴定位控制等等。在定位控制系统中常使用交流异步电机或步进电机等伺服电机作为驱动或控制元件。实...[详细]
2013年科技界即将发生的10件大事

我不清楚你的情况如何，但我已经有太多的事情要操心了。事实上，有的时候我发现我可以很容易的列举一些我不必去烦恼的事情。这让人心情舒畅。这里没有惊险刺激，放轻松。　　IBM 将上演云计算大戏　　很显然，IBM 有一场云计算大戏，其 2012 年截止到 Q3 的营业额已经超过 2011 年全年的数据，并且利润额同比增长 3 倍。目前我还无法推断这些利润从何而来，因为他们都被笼统的算为 200...[详细]
家电业如何分享7000亿元消费红利

当前，我国家电市场竞争愈发激烈，市场下行压力加剧，发展面临“天花板”，企业急需转型。不过，尽管家电业承压前行，但行业升级趋势十分明显，“大美舒智健”成家电业发展新趋势，国内品牌奋力持续提升产品质量，做强品牌效应。同时，随着促消费政策为家电业扩展了广阔的市场空间，家电企业将抓住机遇顺势而上—— 　　近期，国内家电产品不断推陈出新，OLED柔性电视、8K 高清电视引人注目，智能冰箱、纤...[详细]
韩国研究人员开发COF固体离子导体有望成为下一代电池的原料

（图源：UNIST）据外媒报道，韩国蔚山国家科学技术研究院（UNIST）的研究人员，演示了一种新型无溶剂单锂离子导电共价有机骨架。这项研究由 UNIST能源和化学工程学院的教授Sang-Young Lee 和Sang Kyu Kwak共同领导。在研究过程中，研究小组展示“固体离子导体”的新概念，可以有选择性地使锂离子通过离子通道。由于它们是固体，而且能够有效地传输锂离子，有望成为下一代电...[详细]
非直接烧录ST对GD的代码移植

ST的价格和交期不用多说，大家都明白，在产品中大量使用ST的芯片的公司都在寻找国产替代的出路。我们的产品追求的的是MCU的串口相应速度，在网友的使用评价和我们针对性测试之后，GD32最终被定为最优的产品，不仅性能符合要求，价格也是十分便宜，用来替换ST最好不过了。项目的初期，我们和GD的代理进行了面对面的交流，他们推介通过修改相关寄存器直接烧录ST的代码，但是我们实测并不理想。于是在他们的配合下...[详细]