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CMSZDA3V3LEADFREE

Zener Diode, 3.03V V(Z), 6.06%, 0.275W, Silicon, Unidirectional, SUPERMINI-3

器件类别：分立半导体二极管

厂商名称：Central Semiconductor

器件标准： Rohs认证无铅标识

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

包装说明

R-PDSO-G3

针数

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

配置

COMMON ANODE, 2 ELEMENTS

二极管元件材料

SILICON

二极管类型

ZENER DIODE

JESD-30 代码

R-PDSO-G3

JESD-609代码

湿度敏感等级

元件数量

端子数量

最高工作温度

150 °C

最低工作温度

-65 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度）

260

极性

UNIDIRECTIONAL

最大功率耗散

0.275 W

认证状态

Not Qualified

标称参考电压

3.3 V

表面贴装

YES

技术

ZENER

端子面层

Matte Tin (Sn)

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

最大电压容差

6.06%

工作测试电流

5 mA

Base Number Matches

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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