CY7C1245V18-375BZXI

QDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165

器件类别：存储存储

厂商名称：Cypress(赛普拉斯)

器件标准： Rohs认证

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器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Cypress(赛普拉斯)

零件包装代码

BGA

包装说明

LBGA, BGA165,11X15,40

针数

165

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

3A991.B.2.A

最长访问时间

0.45 ns

其他特性

PIPELINED ARCHITECTURE

最大时钟频率 (fCLK)

375 MHz

I/O 类型

SEPARATE

JESD-30 代码

R-PBGA-B165

JESD-609代码

长度

17 mm

内存密度

37748736 bit

内存集成电路类型

QDR SRAM

内存宽度

湿度敏感等级

功能数量

端子数量

165

字数

1048576 words

字数代码

1000000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

1MX36

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

LBGA

封装等效代码

BGA165,11X15,40

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY, LOW PROFILE

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

260

电源

1.5/1.8,1.8 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.4 mm

最大待机电流

0.31 A

最小待机电流

1.7 V

最大压摆率

1.24 mA

最大供电电压 (Vsup)

1.9 V

最小供电电压 (Vsup)

1.7 V

标称供电电压 (Vsup)

1.8 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子形式

BALL

端子节距

1 mm

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

宽度

15 mm

Base Number Matches