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CY7C131-25JCT

Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Cypress(赛普拉斯)

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码
LCC
包装说明
PLASTIC, LCC-52
针数
52
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
25 ns
其他特性
INTERRUPT FLAG
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
S-PQCC-J52
JESD-609代码
e0
长度
19.1262 mm
内存密度
8192 bit
内存集成电路类型
DUAL-PORT SRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
52
字数
1024 words
字数代码
1000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QCCJ
封装等效代码
LDCC52,.8SQ
封装形状
SQUARE
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
最大待机电流
0.015 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
19.1262 mm
参数对比
与CY7C131-25JCT相近的元器件有:CY7C131-35JCT、CY7C131-55JIT、CY7C131-55NCT、CY7C141-35JCT。描述及对比如下:
型号 CY7C131-25JCT CY7C131-35JCT CY7C131-55JIT CY7C131-55NCT CY7C141-35JCT
描述 Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP52, PLASTIC, QFP-52 Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 不符合
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码 LCC LCC LCC QFP LCC
包装说明 PLASTIC, LCC-52 PLASTIC, LCC-52 PLASTIC, LCC-52 QFP, PLASTIC, LCC-52
针数 52 52 52 52 52
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant compliant unknown not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 25 ns 35 ns 55 ns 55 ns 35 ns
其他特性 INTERRUPT FLAG INTERRUPT FLAG INTERRUPT FLAG INTERRUPT FLAG INTERRUPT FLAG
I/O 类型 COMMON COMMON - - COMMON
JESD-30 代码 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQFP-G52 S-PQCC-J52
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 10 mm 19.1262 mm
内存密度 8192 bit 8192 bit 8192 bit 8192 bit 8192 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 1 1 1 - -
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 - 2
端子数量 52 52 52 52 52
字数 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C
组织 1KX8 1KX8 1KX8 1KX8 1KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
可输出 YES YES YES - YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ QCCJ QCCJ QFP QCCJ
封装等效代码 LDCC52,.8SQ LDCC52,.8SQ - - LDCC52,.8SQ
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER FLATPACK CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 - NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V - - 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 2.45 mm 5.08 mm
最大待机电流 0.015 A 0.015 A - - 0.015 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V - - 4.5 V
最大压摆率 0.17 mA 0.12 mA - - 0.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND GULL WING J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 - NOT SPECIFIED
宽度 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 10 mm 19.1262 mm
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