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CY7C1312BV18-300BZI

QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Cypress(赛普拉斯)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码
BGA
包装说明
13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
针数
165
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)
300 MHz
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
JESD-609代码
e0
长度
15 mm
内存密度
18874368 bi
内存集成电路类型
QDR SRAM
内存宽度
18
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
165
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
1MX18
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装等效代码
BGA165,11X15,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
220
电源
1.5/1.8,1.8 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.4 mm
最大待机电流
0.485 A
最小待机电流
1.7 V
最大压摆率
1.58 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
13 mm
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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