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D1800N46T

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1800A, 4600V V(RRM), Silicon,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
应用
GENERAL PURPOSE
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.32 V
JESD-30 代码
O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流
27500 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
160 °C
最大输出电流
1800 A
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
ROUND
封装形式
DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压
4600 V
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
END
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
文档预览
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1800N
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
3600
4000
4200
4400
4600
4800
3850
V
V
V
A
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
500 A
i
F
9000 A
on-state characteristic
Elektrische Eigenschaften
T
C
= 100 °C
T
C
= 55 °C,
θ
= 180°sin, t
P
= 10 ms
I
FRMSM
I
FAVM
I
FAVM
I
FRMS
T
vj
=25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max,
t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
FSM
I²t
1800 A
2550 A
4000 A
35000 A
27500 A
6125 10³A²s
3781 10³A²s
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 7,4 kA
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 1,5 kA
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
v
F
max.
max.
2,82 V
1,32 V
0,85 V
0,253 mΩ
V
(TO)
r
T
A=
B=
C=
D=
i
R
v
F
=
A
+
B
i
F
+
C
ln ( i
F
+
1 )
+
D
Sperrstrom
reverse current
Thermische Eigenschaften
T =T
,v =V
vj
vj max
R
RRM
i
F
-7,537E-01
3,748E-04
3,443E-01
-2,660E-02
max.
100 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
θ
= 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0169
0,0160
0,0329
0,0320
0,0329
0,0320
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
R
thCH
0,0025 °C/W
0,0050 °C/W
160 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
T
vj max
T
c op
T
stg
-40...+160 °C
-40...+160 °C
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication:
revision:
2008-09-15
3.0
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
A 41/08
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1800N
Mechanische Eigenschaften
F
G
typ.
Seite 3
page 3
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
24...60 kN
600 g
25 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1800N
Maßbild
Maßbild
1
2
1:
Anode/
Anode
2:
Kathode/
Cathode
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1800N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
two-sided
Pos. n
R
thn
[°C/W]
1
0,000006
0,000184
0,000201
0,000796
0,000201
0,000796
2
0,000407
0,001360
0,000849
0,005330
0,000849
0,005330
3
0,001107
0,010800
0,00235
0,03660
0,00235
0,03660
4
0,00206
0,04640
0,00567
0,21400
0,00567
0,21400
5
0,00503
0,21900
0,00443
2,79000
0,00443
2,79000
n
max
n=1
6
0,00739
1,15000
0,0185
6,1100
0,0185
6,1100
-t
7
-
-
-
-
-
-
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
Σ
R
thn
1
e
τ
n
0,035
0,030
0,025
Z
thJC
[°C/W]
0,020
0,015
0,010
0,005
0,000
0,001
a
c
b
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
= f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1800N
Erhöhung des Z
th DC
bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel
Θ
Rise of
Diagramme
Z
th DC
for sinewave and rectangular current for different current conduction angles
Θ
∆Z
th
Θ
rec
/
∆Z
th
Θ
sin
Diagramme
Kühlung / Cooling
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
Θ
= 180°
0,00126
0,00087
0,00130
0,00096
0,00130
0,00096
Θ
= 120°
0,00202
0,00122
0,00204
0,00130
0,00204
0,00130
Θ
= 90°
0,00260
0,00168
0,00260
0,00175
0,00260
0,00175
Θ
= 60°
0,00348
0,00249
0,00339
0,00244
0,00339
0,00244
Θ
= 30°
0,00496
0,00411
0,00479
0,00391
0,00479
0,00391
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Z
th
Θ
rec
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
rec
Z
th
Θ
sin
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
sin
10.000
9.000
8.000
7.000
6.000
i
F
[A]
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
0
0,9
1,4
1,9
V
F
[V]
2,4
2,9
3,4
Durchlasskennlinie
T
vj
= T
vj max
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
F
= f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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