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D2114L3

Standard SRAM, 1KX4, 300ns, MOS, CDIP18

器件类别:存储    存储   

厂商名称:General Electric Solid State

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
101210151
包装说明
DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
300 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDIP-T18
JESD-609代码
e0
内存密度
4096 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
4
端子数量
18
字数
1024 words
字数代码
1000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1KX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP18,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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