Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Modul
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
lead resistance, terminals-chip
prepared by: Ralf Jörke
approved by: Lothar Kleber
BIP AM; R. Jörke
14. Dez 00
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 100A
RMS, f = 50Hz, t = 1min
NTC connected to baseplate
T
C
= 80°C
T
C
= 80°C
T
C
= 100°C
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
RRM
I
FRMSM
I
d
I
FSM
I²t
1600
60
105
650
550
2100
1500
V
A
A
A
A
A²s
A²s
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
V
CES
I
C
I
CRM
P
tot
V
GE
1200
50
100
350
± 20
V
A
A
W
V
t
p
= 1ms
T
C
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
1200
25
50
V
A
A
t
p
= 1ms
V
ISOL
2,5
kV
min. typ. max.
v
F
V
(TO)
r
T
i
R
R
AA`+KK`
1,30
0,75
5,5
5
1
V
V
mΩ
mA
mΩ
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max,
v
R =
V
RRM
T
C
= 25°C
date of publication: 13.12.2000
revision: 1
A 33/00
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
IGBT
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Emitter-Schwellspannung
gate-emitter threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom
gate-leakage current
Schnelle Diode / Fast diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
T
vj
= 25°C, i
F
= 25A
T
vj
= 125°C, i
F
= 25A
i
FM
= 25A, -di/dt = 800A/µs, v
R
= 600V
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C, i
C
= 50A, v
GE
= 15V
T
vj
= 125°C, i
C
= 50A, v
GE
= 15V
T
vj
= 25°C, i
C
= 2mA, v
GE
= v
CE
min. typ.
v
CE sat
v
GE(TO)
C
ies
i
CES
i
GES
i
EGS
2,10
2,5
4,5 5,5
3,3
0,8
4,0
max.
2,80
6,5
V
V
nF
1
500
500
mA
nA
nA
T
vj
= 25°C, f
0
= 1MHz,
v
CE
= 25V, v
GE
= 0V
T
vj
= 25°C, v
CE
= 1200V, v
GE
= 0V
T
vj
= 125°C, v
CE
= 1200V, v
GE
= 0V
T
vj
= 25°C, v
CE
= 0V, v
GE
= 20V
T
vj
= 25°C, v
CE
= 0V, v
EG
= 20V
v
F
Q
r
1,7
1,6
2,3
6,0
2,20
V
µAs
µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Gleichrichter / Rectifier,
Θ
= 120°rect
Transistor / Transistor, DC
Schnelle Diode / Fast diode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
1,08
0,38
1,00
0,25
0,24
0,30
150
- 40...+150
- 40...+150
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Gleichrichter / Rectifier
Transistor / Transistor
Schnelle Diode / Fast diode
R
thCK
T
vj max
T
c op
T
stg
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Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
Toleranz / tolerance ±15%
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Al
2
O
3
225
M1
G
typ.
4
185
12,5
50
V
Nm
g
mm
m/s²
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand
rated resistance
Verlustleistung
power dissipation
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
R
100
= 493Ω ± 5%
T
C
= 25°C
R
25
P
25
B
25/50
max.
5
20
3375
kΩ
mW
K
R
2
= R
1
exp [B(1/T
1
- 1/T
2
)]
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC, Netz-Diode
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC, rectifier diode
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[
°
C / W
]
0,4063
τ
n
[
s
]
0,3034
0,0497
0,0309
0,0300
0,0190
0,0140
0,0003
Analytische Funktion
:
Z
thJC
t
−
τ
n
=
∑
R
thn
1
−
e
n
=
1
n
max
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