DMJ70H600SH3

MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

厂商名称：Diodes

厂商官网：http://www.diodes.com/

参数

器件参数

参数名称

属性值

FET 类型

N 沟道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

700V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

600 毫欧 @ 2.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

18.2nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

643pF @ 25V

功率耗散（最大值）

113W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-251

封装/外壳

TO-251-3，IPak，短引线

热门器件

器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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