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DPS128M8NS-85I

Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDIP32, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

器件类别：存储存储

厂商名称：B&B Electronics Manufacturing Company

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

B&B Electronics Manufacturing Company

零件包装代码

DIP

包装说明

DIP, DIP32,.6

针数

32

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

最长访问时间

85 ns

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-CDIP-T32

JESD-609代码

e0

长度

40.64 mm

内存密度

1048576 bit

内存集成电路类型

STANDARD SRAM

内存宽度

8

功能数量

1

端口数量

1

端子数量

32

字数

131072 words

字数代码

128000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

128KX8

输出特性

3-STATE

可输出

YES

封装主体材料

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

封装代码

DIP

封装等效代码

DIP32,.6

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

并行/串行

PARALLEL

电源

5 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

4.191 mm

最大待机电流

0.00017 A

最小待机电流

2 V

最大压摆率

0.08 mA

最大供电电压 (Vsup)

5.5 V

最小供电电压 (Vsup)

4.5 V

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

NO

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子节距

2.54 mm

端子位置

DUAL

宽度

15.24 mm

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器件捷径:

L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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