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DT210N12KOF

Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 210000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5

器件类别:模拟混合信号IC    触发装置   

厂商名称:EUPEC [eupec GmbH]

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DT210N12KOF 在线购买

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器件:DT210N12KOF

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
MODULE-5
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
UL RECOGNIZED
外壳连接
ISOLATED
标称电路换相断开时间
250 µs
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
关态电压最小值的临界上升速率
1000 V/us
最大直流栅极触发电流
200 mA
最大直流栅极触发电压
2 V
快速连接描述
G-GR
螺丝端子的描述
A-K-AK
最大维持电流
300 mA
JESD-30 代码
R-XUFM-X5
最大漏电流
50 mA
通态非重复峰值电流
5800 A
元件数量
1
端子数量
5
最大通态电流
210000 A
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
认证状态
Not Qualified
最大均方根通态电流
410 A
断态重复峰值电压
1200 V
重复峰值反向电压
1200 V
表面贴装
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
触发设备类型
SCR
Base Number Matches
1
文档预览
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT210N
TT210N
Kenndaten
TD210N
TD210N...-A
DT210N
TD210N...-K
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
vj
= -40°C... T
vj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
C
= 85°C
T
C
= 73°C
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
T
vj
= -40°C... T
vj max
T
vj
= +25°C... T
vj max
Elektrische Eigenschaften
V
DRM
,V
RRM
1200
1600
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
1200
1600
1300
1700
1400 V
1800 V
1400 V
1800 V
1500 V
1900 V
410 A
210 A
261 A
6600 A
5800 A
218000 A²s
168000 A²s
150 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 700 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
v
T
V
(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
max.
1,65 V
1 V
0,85 mΩ
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
200 mA
2 V
10 mA
5 mA
0,2 V
300 mA
1200 mA
50 mA
3 µs
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
GK
10
I
L
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25 °C,i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
i
D
, i
R
t
gd
prepared by: C.Drilling
approved by: J. Novotny
date of publication:
revision:
03.04.02
1
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /82
Seite/page
1/12
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT210N
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter O
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
t
q
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
typ.
V
ISOL
200 µs
3,0 kV
3,6 kV
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Thermische Eigenschaften
Modul / per Module,
Θ
= 180° sin
pro
pro Zweig / per arm,
Θ
= 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,065
0,130
0,062
0,124
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
0,02 °C/W
0,04 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften
Seite 3
page 3
AlN
Toleranz / Tolerance ± 15%
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
G
M1
M2
5
12
A 2,8 x 0,8
typ.
800 g
17 mm
f = 50 Hz
file-No.
50 m/s²
E 83336
Nm
Nm
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /82
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N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT210N
Maßbild
Maßbild
Maßbild
1
2
4 5
7 6
3
1
2
4 5
3
1
2
7 6
3
TT
1
2
4 5
TD
3
DT
TD-A
1
2
5 4
3
TD-K
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /82
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N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT210N
R,T – Werte
Di
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
1
0,0031
0,0009
2
0,0097
0,008
3
0,0257
0,11
4
0,0429
0,61
5
0,0426
3,06
n
max
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
6
7
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
n=1
S
R
thn
1 -e
–t
t
n
Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17
(45W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
1,6
1400
2
0,0726
30
3
0,0174
2
4
5
6
7
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17
(Papst 4650N)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
0,475
458
2
0,08
40,4
3
0,015
4,11
4
5
6
7
n
max
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thCA
=
n=1
S
R
thn
1 -e
–t
t
n
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
A4 /82
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N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT210N
Θ
=
30°
60°
90°
120°
180°
Diagramme
0,160
0,140
Trans. Wärmewiderstand bei Sinus
0
180°
0,120
0,100
0,080
0,060
0,040
0,020
0,000
0,01
0,1
1
t [s]
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
Trans. Wärmewiderstand bei Rechteck
0,180
0,160
0,140
180°
Θ
=
30°
60°
90°
120°
180°
DC
0,120
0,100
0,080
0,060
0,040
0,020
0,000
0,001
0,01
0
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
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