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EBD11RD8ADFA-7B

1GB Registered DDR SDRAM DIMM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ELPIDA

厂商官网:http://www.elpida.com/en

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ELPIDA
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM, DIMM184
针数
184
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.75 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
133 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N184
JESD-609代码
e0
内存密度
9663676416 bi
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
72
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
184
字数
134217728 words
字数代码
128000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
128MX72
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM184
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
235
电源
2.5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
自我刷新
YES
最大压摆率
4.825 mA
最大供电电压 (Vsup)
2.7 V
最小供电电压 (Vsup)
2.3 V
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与EBD11RD8ADFA-7B相近的元器件有:EBD11RD8ADFA-7A、EBD11RD8ADFA-6B、EBD11RD8ADFA。描述及对比如下:
型号 EBD11RD8ADFA-7B EBD11RD8ADFA-7A EBD11RD8ADFA-6B EBD11RD8ADFA
描述 1GB Registered DDR SDRAM DIMM 1GB Registered DDR SDRAM DIMM 1GB Registered DDR SDRAM DIMM 1GB Registered DDR SDRAM DIMM
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
厂商名称 ELPIDA ELPIDA ELPIDA -
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM -
包装说明 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 -
针数 184 184 184 -
Reach Compliance Code unknow unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST -
最长访问时间 0.75 ns 0.75 ns 0.7 ns -
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH -
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 166 MHz -
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 -
JESD-609代码 e0 e0 e0 -
内存密度 9663676416 bi 9663676416 bi 9663676416 bi -
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE -
内存宽度 72 72 72 -
功能数量 1 1 1 -
端口数量 1 1 1 -
端子数量 184 184 184 -
字数 134217728 words 134217728 words 134217728 words -
字数代码 128000000 128000000 128000000 -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C -
组织 128MX72 128MX72 128MX72 -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
封装代码 DIMM DIMM DIMM -
封装等效代码 DIMM184 DIMM184 DIMM184 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY -
峰值回流温度(摄氏度) 235 235 235 -
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
刷新周期 8192 8192 8192 -
自我刷新 YES YES YES -
最大压摆率 4.825 mA 4.825 mA 5.635 mA -
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V -
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V -
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V -
表面贴装 NO NO NO -
技术 CMOS CMOS CMOS -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD -
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm -
端子位置 DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
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器件捷径:
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