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EBE10UE8ACWB-6E-E

1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ELPIDA

厂商官网:http://www.elpida.com/en

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ELPIDA
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM, DIMM240,40
针数
240
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
访问模式
SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM
最大时钟频率 (fCLK)
333 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N240
长度
133.35 mm
内存密度
1073741824 bi
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
240
字数
134217728 words
字数代码
128000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
组织
128MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM240,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
1.8 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
座面最大高度
30 mm
自我刷新
YES
最大压摆率
2.2 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
NO LEAD
端子节距
1 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
3.18 mm
参数对比
与EBE10UE8ACWB-6E-E相近的元器件有:EBE10UE8ACWB-8G-E、EBE10UE8ACWB-8E-E、EBE10UE8ACWB。描述及对比如下:
型号 EBE10UE8ACWB-6E-E EBE10UE8ACWB-8G-E EBE10UE8ACWB-8E-E EBE10UE8ACWB
描述 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
是否Rohs认证 符合 符合 符合 -
厂商名称 ELPIDA ELPIDA ELPIDA -
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM -
包装说明 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 -
针数 240 240 240 -
Reach Compliance Code unknow unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST -
最长访问时间 0.45 ns 0.4 ns 0.4 ns -
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM -
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz 400 MHz 400 MHz -
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 -
长度 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm -
内存密度 1073741824 bi 1073741824 bi 1073741824 bi -
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE -
内存宽度 8 8 8 -
功能数量 1 1 1 -
端口数量 1 1 1 -
端子数量 240 240 240 -
字数 134217728 words 134217728 words 134217728 words -
字数代码 128000000 128000000 128000000 -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C -
组织 128MX8 128MX8 128MX8 -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
封装代码 DIMM DIMM DIMM -
封装等效代码 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
刷新周期 8192 8192 8192 -
座面最大高度 30 mm 30 mm 30 mm -
自我刷新 YES YES YES -
最大压摆率 2.2 mA 2.32 mA 2.32 mA -
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V -
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V -
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V -
表面贴装 NO NO NO -
技术 CMOS CMOS CMOS -
温度等级 OTHER OTHER OTHER -
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD -
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm -
端子位置 DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
宽度 3.18 mm 3.18 mm 3.18 mm -
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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