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EBE10UE8AFSA-6E-F

1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ELPIDA

厂商官网:http://www.elpida.com/en

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ELPIDA
零件包装代码
SODIMM
包装说明
DIMM, DIMM200,24
针数
200
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
333 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XZMA-N200
内存密度
8589934592 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
200
字数
134217728 words
字数代码
128000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
组织
128MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM200,24
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
1.8 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
自我刷新
YES
最大压摆率
2.2 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.6 mm
端子位置
ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与EBE10UE8AFSA-6E-F相近的元器件有:EBE10UE8AFSA。描述及对比如下:
型号 EBE10UE8AFSA-6E-F EBE10UE8AFSA
描述 1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM 1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM
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