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EBE11UD8AGWA

1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

厂商名称:ELPIDA

厂商官网:http://www.elpida.com/en

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参数对比
与EBE11UD8AGWA相近的元器件有:EBE11UD8AGWA-6E-E、EBE11UD8AGWA-5C-E。描述及对比如下:
型号 EBE11UD8AGWA EBE11UD8AGWA-6E-E EBE11UD8AGWA-5C-E
描述 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
厂商名称 - ELPIDA ELPIDA
零件包装代码 - DIMM DIMM
包装说明 - DIMM, DIMM,
针数 - 240 240
Reach Compliance Code - unknow unknown
ECCN代码 - EAR99 EAR99
访问模式 - DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 - 0.45 ns 0.5 ns
其他特性 - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 - R-XDMA-N240 R-XDMA-N240
内存密度 - 8589934592 bi 8589934592 bit
内存集成电路类型 - DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 - 64 64
功能数量 - 1 1
端口数量 - 1 1
端子数量 - 240 240
字数 - 134217728 words 134217728 words
字数代码 - 128000000 128000000
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 85 °C 85 °C
组织 - 128MX64 128MX64
封装主体材料 - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 - DIMM DIMM
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
自我刷新 - YES YES
最大供电电压 (Vsup) - 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) - 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) - 1.8 V 1.8 V
表面贴装 - NO NO
技术 - CMOS CMOS
温度等级 - OTHER OTHER
端子形式 - NO LEAD NO LEAD
端子位置 - DUAL DUAL
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器件捷径:
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