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EBE51FD8AHFL-5C-E

512MB Fully Buffered DIMM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ELPIDA

厂商官网:http://www.elpida.com/en

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ELPIDA
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM, DIMM240,40
针数
240
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
访问模式
SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
267 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N240
内存密度
4831838208 bi
内存集成电路类型
DRAM MODULE
内存宽度
72
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
240
字数
67108864 words
字数代码
64000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
组织
64MX72
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM240,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
1.5,1.8 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
自我刷新
YES
最大压摆率
3.4 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
NO LEAD
端子节距
1 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与EBE51FD8AHFL-5C-E相近的元器件有:EBE51FD8AHFT-6E-E、EBE51FD8AHFT、EBE51FD8AHFT-5C-E、EBE51FD8AHFE-6E-E、EBE51FD8AHFE、EBE51FD8AHFL、EBE51FD8AHFE-5C-E。描述及对比如下:
型号 EBE51FD8AHFL-5C-E EBE51FD8AHFT-6E-E EBE51FD8AHFT EBE51FD8AHFT-5C-E EBE51FD8AHFE-6E-E EBE51FD8AHFE EBE51FD8AHFL EBE51FD8AHFE-5C-E
描述 512MB Fully Buffered DIMM 512MB Fully Buffered DIMM 512MB Fully Buffered DIMM 512MB Fully Buffered DIMM 512MB Fully Buffered DIMM 512MB Fully Buffered DIMM 512MB Fully Buffered DIMM 512MB Fully Buffered DIMM
厂商名称 ELPIDA ELPIDA - ELPIDA ELPIDA - - ELPIDA
零件包装代码 DIMM DIMM - DIMM DIMM - - DIMM
包装说明 DIMM, DIMM240,40 DIMM, - DIMM, DIMM240,40 DIMM, - - DIMM, DIMM240,40
针数 240 240 - 240 240 - - 240
Reach Compliance Code unknow unknown - unknow unknow - - unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 - - EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST - SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST - - SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - - AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 - R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 - - R-XDMA-N240
内存密度 4831838208 bi 4831838208 bit - 4831838208 bi 4831838208 bi - - 4831838208 bi
内存集成电路类型 DRAM MODULE DRAM MODULE - DRAM MODULE DRAM MODULE - - DRAM MODULE
内存宽度 72 72 - 72 72 - - 72
功能数量 1 1 - 1 1 - - 1
端口数量 1 1 - 1 1 - - 1
端子数量 240 240 - 240 240 - - 240
字数 67108864 words 67108864 words - 67108864 words 67108864 words - - 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 - 64000000 64000000 - - 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - - SYNCHRONOUS
组织 64MX72 64MX72 - 64MX72 64MX72 - - 64MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED - - UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM - DIMM DIMM - - DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY - - MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified
自我刷新 YES YES - YES YES - - YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V - 1.9 V 1.9 V - - 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V - 1.7 V 1.7 V - - 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V - - 1.8 V
表面贴装 NO NO - NO NO - - NO
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS - - CMOS
端子形式 NO LEAD NO LEAD - NO LEAD NO LEAD - - NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL - - DUAL
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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