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EBE52UD6AJUA-6E-E

512MB DDR2 SDRAM SO-DIMM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ELPIDA

厂商官网:http://www.elpida.com/en

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ELPIDA
零件包装代码
SODIMM
包装说明
DIMM, DIMM200,24
针数
200
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
333 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PZMA-N200
JESD-609代码
e4
内存密度
4294967296 bi
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
200
字数
67108864 words
字数代码
64000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
组织
64MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM200,24
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
1.8 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
自我刷新
YES
最大待机电流
0.08 A
最大压摆率
1.06 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.6 mm
端子位置
ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与EBE52UD6AJUA-6E-E相近的元器件有:EBE52UD6AJUA-8E-E、EBE52UD6AJUA-8G-E、EBE52UD6AJUA。描述及对比如下:
型号 EBE52UD6AJUA-6E-E EBE52UD6AJUA-8E-E EBE52UD6AJUA-8G-E EBE52UD6AJUA
描述 512MB DDR2 SDRAM SO-DIMM 512MB DDR2 SDRAM SO-DIMM 512MB DDR2 SDRAM SO-DIMM 512MB DDR2 SDRAM SO-DIMM
是否Rohs认证 符合 符合 符合 -
厂商名称 ELPIDA ELPIDA ELPIDA -
零件包装代码 SODIMM SODIMM SODIMM -
包装说明 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 -
针数 200 200 200 -
Reach Compliance Code unknow unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST -
最长访问时间 0.45 ns 0.4 ns 0.4 ns -
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH -
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz 400 MHz 400 MHz -
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-PZMA-N200 R-PZMA-N200 R-PZMA-N200 -
JESD-609代码 e4 e4 e4 -
内存密度 4294967296 bi 4294967296 bi 4294967296 bi -
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE -
内存宽度 64 64 64 -
功能数量 1 1 1 -
端口数量 1 1 1 -
端子数量 200 200 200 -
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words -
字数代码 64000000 64000000 64000000 -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C -
组织 64MX64 64MX64 64MX64 -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 DIMM DIMM DIMM -
封装等效代码 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
刷新周期 8192 8192 8192 -
自我刷新 YES YES YES -
最大待机电流 0.08 A 0.08 A 0.08 A -
最大压摆率 1.06 mA 1.12 mA 1.12 mA -
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V -
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V -
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V -
表面贴装 NO NO NO -
技术 CMOS CMOS CMOS -
温度等级 OTHER OTHER OTHER -
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD -
端子节距 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm -
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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