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EBJ21UE8BDS0-DJ-F

2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ELPIDA

厂商官网:http://www.elpida.com/en

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ELPIDA
零件包装代码
DMA
包装说明
DIMM, DIMM204,24
针数
204
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
667 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N204
长度
67.6 mm
内存密度
17179869184 bit
内存集成电路类型
DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
204
字数
268435456 words
字数代码
256000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
组织
256MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM204,24
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
1.5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
座面最大高度
3.8 mm
自我刷新
YES
最大待机电流
0.224 A
最大压摆率
3 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.575 V
最小供电电压 (Vsup)
1.425 V
标称供电电压 (Vsup)
1.5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.6 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
30 mm
参数对比
与EBJ21UE8BDS0-DJ-F相近的元器件有:EBJ21UE8BDS0、EBJ21UE8BDS0-AE-F、EBJ21UE8BDS0-GN-F。描述及对比如下:
型号 EBJ21UE8BDS0-DJ-F EBJ21UE8BDS0 EBJ21UE8BDS0-AE-F EBJ21UE8BDS0-GN-F
描述 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合
厂商名称 ELPIDA - ELPIDA ELPIDA
零件包装代码 DMA - DMA DMA
包装说明 DIMM, DIMM204,24 - DIMM, DIMM204,24 DIMM, DIMM204,24
针数 204 - 204 204
Reach Compliance Code unknown - unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST - DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 667 MHz - 533 MHz 800 MHz
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N204 - R-XDMA-N204 R-XDMA-N204
长度 67.6 mm - 67.6 mm 67.6 mm
内存密度 17179869184 bit - 17179869184 bi 17179869184 bi
内存集成电路类型 DRAM MODULE - DRAM MODULE DRAM MODULE
内存宽度 64 - 64 64
功能数量 1 - 1 1
端口数量 1 - 1 1
端子数量 204 - 204 204
字数 268435456 words - 268435456 words 268435456 words
字数代码 256000000 - 256000000 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C 85 °C
组织 256MX64 - 256MX64 256MX64
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM - DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM204,24 - DIMM204,24 DIMM204,24
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 1.5 V - 1.5 V 1.5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 - 8192 8192
座面最大高度 3.8 mm - 3.8 mm 3.8 mm
自我刷新 YES - YES YES
最大待机电流 0.224 A - 0.208 A 0.24 A
最大压摆率 3 mA - 2.64 mA 3.4 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V - 1.575 V 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V - 1.425 V 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V - 1.5 V 1.5 V
表面贴装 NO - NO NO
技术 CMOS - CMOS CMOS
温度等级 OTHER - OTHER OTHER
端子形式 NO LEAD - NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.6 mm - 0.6 mm 0.6 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 30 mm - 30 mm 30 mm
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S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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