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EDI2KG46464V95D

SRAM Module, 256KX64, 9.5ns, CMOS,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:EDI [Electronic devices inc.]

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
9.5 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N120
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
SRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端子数量
120
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM120
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行
PARALLEL
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
最小待机电流
3.14 V
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3.14 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
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参数对比
与EDI2KG46464V95D相近的元器件有:EDI2KG46464V10D、EDI2KG46464V15D、EDI2KG46464V11D、EDI2KG46464V12D。描述及对比如下:
型号 EDI2KG46464V95D EDI2KG46464V10D EDI2KG46464V15D EDI2KG46464V11D EDI2KG46464V12D
描述 SRAM Module, 256KX64, 9.5ns, CMOS, SRAM Module, 256KX64, 10ns, CMOS, SRAM Module, 256KX64, 15ns, CMOS, SRAM Module, 256KX64, 11ns, CMOS, SRAM Module, 256KX64, 12ns, CMOS,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknow
最长访问时间 9.5 ns 10 ns 15 ns 11 ns 12 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N120 R-XDMA-N120 R-XDMA-N120 R-XDMA-N120 R-XDMA-N120
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bi
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 120 120 120 120 120
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX64 256KX64 256KX64 256KX64 256KX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM120 DIMM120 DIMM120 DIMM120 DIMM120
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 EDI [Electronic devices inc.] - - EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
最大待机电流 - 0.35 A 0.35 A 0.35 A 0.35 A
最大压摆率 - 1.2 mA 0.9 mA 1.1 mA 1 mA
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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