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EDI441024C100ZM

Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, CZIP20,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:EDI [Electronic devices inc.]

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code
unknown
访问模式
FAST PAGE
最长访问时间
100 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码
R-CZIP-T20
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
20
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
1MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
ZIG-ZAG
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