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EDI8465LP25QB

Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, CDIP24,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:EDI [Electronic devices inc.]

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
25 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-CDIP-T24
JESD-609代码
e0
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
24
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
64KX4
输出特性
3-STATE
可输出
NO
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP24,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流
0.0005 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
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