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EDI88257C85CI

Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Microsemi
零件包装代码
DIP
包装说明
0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
针数
32
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
85 ns
JESD-30 代码
R-CDIP-T32
内存密度
2097152 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
256KX8
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
DIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
DUAL
宽度
10.16 mm
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