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EDI8F321024C35MZC

SRAM Module, 4MX8, 35ns, CMOS,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1546618321
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
35 ns
其他特性
CONFIGURABLE AS 1M X 32
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XZMA-N72
JESD-609代码
e0
内存密度
33554432 bit
内存集成电路类型
SRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
72
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
ZIP
封装等效代码
ZIP72/76,.1,.1
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.08 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
1.88 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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