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EDI8F8512C70BSC

SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:EDI [Electronic devices inc.]

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
70 ns
其他特性
TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XSMA-T36
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
SRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
36
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
512KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装等效代码
SIP36
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.005 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
Base Number Matches
1
文档预览
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