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EDI8M32512C85GM

SRAM Module, 2MX8, 85ns, CMOS,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:EDI [Electronic devices inc.]

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
85 ns
其他特性
CONFIGURABLE AS 512K X 32
备用内存宽度
16
JESD-30 代码
S-XHIP-P66
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
SRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
66
字数
2097152 words
字数代码
2000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
2MX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
SQUARE
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子形式
PIN/PEG
端子位置
HEX
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